[发明专利]一种应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法

权利要求书

1.一种应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，包括如下步骤：

减铜，降低线路板的面铜；

正反钻孔，对线路板的正面及反面的相同位置进行相同深度钻孔，形成相同的两个盲孔；

套孔钻孔，对两个盲孔之间钻连通两个盲孔的微小孔，形成阶梯状的通孔；

除胶沉铜，对完成两次钻孔的线路板进行除胶及沉铜；

第一次曝光显影，对线路板正反面贴附干膜，然后对通孔进行第一次曝光显影；

通孔电镀，对通孔进行电镀，直至微小孔完全镀铜填充；

退膜，去除线路板上的多余干膜；

磨板，对线路板进行打磨，去除毛刺；

第二次曝光显影，对线路板正反面贴附干膜，然后对通孔进行第二次曝光显影；以及

填孔电镀，对通孔电镀直至通孔完成填充，完成通孔填镀。

2.根据权利要求1所述的应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，所述正反钻孔步骤中保持线路板位置不变。

3.根据权利要求2所述的应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，所述套孔转孔步骤中保持线路板与所述正反钻孔步骤中线路板位置相同。

4.根据权利要求1所述的应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，所述除胶沉铜步骤中除胶及沉铜步骤次数为至少两次。

5.根据权利要求1所述的应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，所述填孔电镀步骤及通孔电镀步骤中采用小于6ASF电流进行电镀。

6.根据权利要求1所述的应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，所述第一次曝光显影步骤中显影后的通孔直径比实际开孔大至少0.5mil。

7.根据权利要求1至6任一所述的应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，所述第一次曝光显影步骤还包括：将完成显影的线路板进行防氧化处理。

8.根据权利要求1至6任一所述的应用于光模块高密度互连HDI板的通孔填镀方法，其特征在于，其还包括位于所述磨板步骤之后的二次沉铜步骤，对通孔孔口进行沉铜。