[发明专利]用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法、及用于真空处理基板的设备

权利要求书

1.一种用于清洁真空腔室的方法，特别是清洁在OLED装置的制造中使用的真空腔室的方法，包括：

利用活性物种清洁所述真空腔室的表面及所述真空腔室的内侧的元件的至少一者，其中用于产生所述活性物种的处理气体包括至少90％的氧及至少2％的氩，特别是，所述处理气体包括括约95％的氧及约5％的氩。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁在5*10^-3mbar或以下的压力下执行，特别是在1*10^-4mbar或以下的压力下执行。

3.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其中所述活性物种利用远程等离子体源产生。

4.根据权利要求3所述的方法，更包括：

在第一压力下点燃所述远程等离子体源；以及

将所述远程等离子体源中的压力减小至第二压力，所述第二压力小于所述第一压力至少一个数量级，特别是小于所述第一压力至少三个数量级。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空腔室的一个或多个内壁的清洁。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中所述方法在真空系统或所述真空系统的部分的维护程序之后被执行。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，更包括：

确定所述真空腔室的壁的平均距离；以及

在对应于所述壁的所述平均距离的20％至97％的平均自由路径长度的压力下，利用所述活性物种清洁所述真空腔室的所述壁的表面及所述真空腔室的内侧的元件的至少一者。

8.一种用于真空处理基板来制造OLED装置的方法，包括：

根据权利要求1-7任一项所述的用于清洁的方法；以及

在所述基板上沉积有机材料的一层或多层。

9.一种用于真空处理基板的设备，特别是用于制造OLED装置，包括：

真空腔室；

远程等离子体源，连接于所述真空腔室，所述远程等离子体源具有处理气体入口及用于活性物种的管道；以及

控制器，包括：处理器及储存有指令的存储器，当所述处理器执行所述指令时使所述设备执行根据权利要求1-8任一项所述的所述方法。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述远程等离子体源更包括处理气体出口，并且所述设备更包括：

位于所述真空腔室及所述远程等离子体源之间的阀，所述阀经定位以开启或关闭所述管道。

11.根据权利要求10所述的设备，更包括：

用于所述管道的旁路，所述旁路连接所述处理气体出口及所述真空腔室。