[发明专利]介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件

权利要求书

1.一种介电陶瓷组合物，其包含第一成分与第二成分，其中，

作为第一成分，含有下述通式(3)表示的化合物，所述化合物在将3元组成图上的任意点表示成(α，β，γ)时处于连接点A＝(0.05，0.95，0.00)、点B＝(0.70，0.30，0.00)、点C＝(0.70，0.00，0.30)、点D＝(0.00，0.00，1.00)、点E＝(0.00，0.90，0.10)的线段所包围的范围内，

式(3)中，η1、η2及η3分别独立为5.70～6.30的范围内的值；θ1、θ2及θ3分别独立为0.95～1.05的范围内的值；及分别独立为0.90～1.10的范围内的值；ω1、ω2及ω3分别独立为27.45～32.50的范围内的值；M³由通式(4)：Ti_2-ρ-σZr_ρSn_σ(4)表示，式(4)中，0≤ρ≤2.0，0≤σ≤0.3；M⁴由通式(5)：Nb_8-π-ψTa_πV_ψ(5) 表示，式(5)中，0≤π≤8.0，0≤ψ≤0.6；α、β及γ满足α+β+γ＝1.00，

作为第二成分，以相对于将第一成分换算成CaO、SrO、BaO、TiO₂、ZrO₂、SnO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅时第一成分的总质量的含有比例而至少含有：以MnO计为0.005～3.500质量％的Mn的氧化物(a)、以及Cu的氧化物和Ru的氧化物中的任一者或两者(b)。

2.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，

所述第一成分是在所述3元组成图中处于连接下述点的线段所包围的范围内的化合物，

A'＝(0.05，0.95，0.00)、点B'＝(0.60，0.40，0.00)、点C'＝(0.70，0.20，0.10)、点D'＝(0.70，0.10，0.20)、点E'＝(0.55，0.00，0.45)、点F'＝(0.40，0.00，0.60)、点G'＝(0.10，0.10，0.80)、点H'＝(0.00，0.00，1.00)、点I'＝(0.00，0.40，0.60)、点J'＝(0.20，0.40，0.40)、点K'＝(0.00，0.70，0.30)、点L'＝(0.00，0.90，0.10)。

3.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其中，

作为第二成分，以相对于将第一成分换算成CaO、SrO、BaO、TiO₂、ZrO₂、SnO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅时第一成分的总质量的含有比例而含有：以CuO计为0.010质量％以上并且小于0.080质量％的Cu的氧化物及以RuO₂计为0.050质量％以上并且小于0.300质量％的Ru的氧化物中的任一者或两者。

4.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其含有D的氧化物作为第二成分，所述D是选自Li、Mg、Si、Cr、Al、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、In、W、Mo、Y、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的至少1种。

5.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其含有钨青铜型晶相。

6.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其在25℃下的相对介电常数为100.0以上。

7.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其静电电容变化率在-55℃～200℃的温度范围内为-20.0％～5.0％的范围内。