[实用新型]钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构有效
| 申请号: | 201921436971.5 | 申请日: | 2019-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN210628311U | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
| 发明(设计)人: | 张敏;刘飞;何凤琴;王冬冬;张志郢;常纪鹏 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 |
| 主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L31/0352;H01L31/068;H01L51/42;H01L31/18;H01L21/228;H01L21/268;H01L51/48 |
| 代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹;王文颖 |
| 地址: | 810000 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钙钛矿 型硅基背 接触 电池 叠加 结构 | ||
本实用新型公开了一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构,其特征在于,依次包括:钙钛矿材料吸收层、正面透明导电膜沉积层、正面钝化层、前表面场、N型单晶硅片衬底及背面钝化层,N型单晶硅片衬底与背面钝化层之间设有相互独立的背面P+掺杂层和背面N+掺杂层,两个金属电极分别与背面P+掺杂层、背面N+掺杂层连接,且从背面钝化层表面露出。本实用新型采用丝网印刷纳米磷浆料或纳米硼浆料叠加激光推进的方式实现钙钛矿材料叠加背接触电池背面叉指状PN结的制备,实现叠层电池内部电流的最大输出,进一步提高背接触太阳电池的光电转换效率。
技术领域
本实用新型涉及一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
目前,硅基太阳能电池是太阳能电池的主流,占据了90%的光伏市场,硅太阳能电池的效率已达到26.1.%,接近肖克利—奎伊瑟(Shockley—Queisser)极限效率(29.4%),但制造成本相对石油、核能源依旧居高,因此降低硅基太阳能电池的制备成本依旧是实现阶段及未来一段时间的研发目标。目前研究发现由于太阳光谱的能量分布较宽,任何一种半导体材料只能吸收能量值比其禁带宽度大的光子。因此,可在硅电池顶层叠加宽带隙材料构成叠层电池,拓宽电池的光谱响应,最大限度地利用太阳能,提高太阳能电池的效率。目前已报道的基于硅基叠层电池的理论极限效率可从29%提高到42.5%。钙钛矿材料也被认为是下一代低成本太阳能电池的光吸收材料。由于钙钛矿和硅具有不同的带隙,为了充分利用太阳光谱,钙钛矿太阳能电池可作为顶电池与硅电池形成叠层太阳能电池,既拓宽了电池的光谱响应范围,提高了太阳能电池效率,又降低了制备成本。
随着电池技术的不断革新,钙钛矿材料的优异性能成为热门的研究对象,据国际光伏技术进步路线报告显示,到2025年,新型结构的电池份额将达到约5%,成为重要的光伏发电技术形式;其中,钙钛矿电池被誉为未来可对光伏技术实现变革型改进的技术方向,能够大大降低光伏电池的生产成本,从而节约度电成本,《科学》(Science)期刊把它评为2013年的10大科学突破之一;被誉为现行高效光伏技术中有希望给能源发展带来颠覆性革新的高效电池技术形式,并且产业化大面积钙钛矿N型硅基叠层电池已经在成为研究的热点。如何将叠层电池的优良特性最大程度地发挥出来,制备出质量优异的PN结,实现电流的最大输出,进一步降低叠层电池成本也是目前的技术关键。本专利提出了一种大面积钙钛矿 N型硅基叠层电池的制备方法,尤其提出了该结构电池PN结的制备方法。从而实现电流的有效导出,实现电池光电转换效率的最大化。
近几年N型硅基体高效电池发展迅速,市场优势愈加明显,尽管如此,硅基材料本身的材料特性决定了其具有较窄的光谱吸收范围,不能最大程度实现太阳光谱的全面吸收。然而钙钛矿材料具有较宽的光谱吸收范围,钙钛矿材料叠加 N型硅基结构的叠层电池应运而生。尽管叠层电池可以实现太阳光谱的有效吸收,产生更多的电流,然而电池在输出的过程中仍然存在内耗损失,同时,常规的管式高温扩散方式制备PN结的方式对硅片基底损伤大、方阻均匀性较差,PN 结性能一般;同时高温下的电能消耗大,电池成本依旧居高。因此本专利从如何实现电池内部电流的最佳输出及降低电池制造成本着手,提出一种钙钛矿叠加N 型硅基叠层电池PN结制备的方法,制备出性能优异的PN结,实现叠层电池内部电流的最大输出。
研究报道钙钛矿材料的光谱响应在300-400nm的紫外波段,就有很高的光谱吸收能力,在400-700nm的光谱范围,其光谱吸收能力达到最高。然而N型硅基电池存在吸收光谱波段较窄的问题。因此很多学者提出钙钛矿薄膜层叠加硅基电池的叠层电池结构,解决了硅基太阳电池对光不能充分利用的问题,从而实现单位面积可以吸收更多光,有效提升硅基电池的光电转换效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





