[实用新型]阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201921388079.4 | 申请日: | 2019-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN210073855U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
| 发明(设计)人: | 李盼;郝学光;马永达 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素驱动电路 驱动晶体管 像素电极 阵列基板 电极板 漏极 存储电容 绝缘层隔离 层叠设置 交叠区域 显示面板 显示效果 显示装置 相邻设置 断路 预设 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多个像素驱动电路,任一所述像素驱动电路包括:
驱动晶体管,设置有漏极;
存储电容,设置有第一电极板,且所述第一电极板与所述驱动晶体管的漏极连接;
像素电极,连接所述驱动晶体管的漏极;
其中,多个所述像素驱动电路中包括相邻设置的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路,所述第一像素驱动电路的第一电极板与所述第二像素驱动电路的像素电极在一预设交叠区域层叠设置且被一绝缘层隔离。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路沿所述阵列基板的数据线延伸方向排列;或者,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路沿所述阵列基板的栅极线延伸方向排列。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,多个所述像素驱动电路中还包括与所述第一像素驱动电路相邻的第三像素驱动电路、第四像素驱动电路和第五像素驱动电路;
所述第二像素驱动电路、所述第一像素驱动电路和所述第三像素驱动电路依次沿阵列基板的数据线延伸方向排列;
所述第四像素驱动电路、所述第一像素驱动电路和所述第五像素驱动电路依次沿阵列基板的栅极线延伸方向排列;
所述第一像素驱动电路的像素电极还与所述第三像素驱动电路的第一电极板在一预设交叠区域层叠设置且被一绝缘层隔离;
所述第一像素驱动电路的第一电极板还与所述第四像素驱动电路的像素电极在一预设交叠区域层叠设置且被一绝缘层隔离;
所述第一像素驱动电路的像素电极还与所述第五像素驱动电路的第一电极板在一预设交叠区域层叠设置且被一绝缘层隔离。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极板包括第一连接引线,所述像素电极包括第二连接引线;
所述第一像素驱动电路的第一连接引线与所述第二像素驱动电路的第二连接引线在所述预设交叠区域层叠设置且被一绝缘层隔离。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还设有补偿线;
任一所述像素驱动电路还包括补偿晶体管,所述补偿晶体管的漏极连接所述第一连接引线,所述补偿晶体管的源极连接所述补偿线。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述预设交叠区域包括:
衬底基板;
所述第一像素驱动电路的第一连接引线,设于所述衬底基板的一侧;
所述绝缘层,设于所述第一像素驱动电路的第一连接引线远离所述衬底基板的一侧;
所述第二像素驱动电路的第二连接引线,设于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述预设交叠区域还包括:
平坦化层,设于所述绝缘层与所述第二像素驱动电路的第二连接引线之间,且所述平坦化层设置有暴露所述绝缘层的第一过孔;
所述第二像素驱动电路的第二连接引线覆盖被所述第一过孔暴露的所述绝缘层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素驱动电路包括:
有源材料层,设于一衬底基板的一侧,形成有所述存储电容的第二电极板和所述驱动晶体管的有源层;
第一绝缘材料层,设于所述有源材料层远离所述衬底基板的一侧,形成有所述存储电容的电介质层和所述驱动晶体管的栅极绝缘层;
栅极材料层,设于所述第一绝缘材料层远离所述衬底基板的一侧,形成有所述驱动晶体管的栅极层和所述存储电容的第一电极板;
源漏材料层,设于所述栅极材料层远离所述衬底基板的一侧,形成有所述驱动晶体管的漏极;
第二绝缘材料层,设于所述栅极材料层远离所述衬底基板的一侧,且形成有包含所述绝缘层的保护层;
第三绝缘材料层,设于所述第二绝缘材料层远离所述衬底基板的一侧,且形成有平坦化层;
电极材料层,设于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,形成有所述像素电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





