[实用新型]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

封装体，设置有多个外接引脚用于与外部电气连接；

封装框架，设置于所述封装体上，包括封装于所述封装体内的第一表面以及外露于所述封装体的第二表面；

绝缘层，粘接在所述封装框架的第一表面上，包括至少两个引线键合部，所述引线键合部通过键合引线与所述外接引脚电气连接；

电子元件，贴装在所述绝缘层上，其输入端及输出端分别通过导电介质与所述绝缘层的引线键合部电气连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装体为半导体塑封材料。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装框架为金属框架或陶瓷框架。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘层包括FPC板材、PCB板材、或陶瓷板材。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述FPC板材或PCB板材上布设有一个或多个功能电路。

6.根据权利要求1、4或5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合部为金属焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘层藉由粘贴工艺或共晶工艺设置在所述封装框架的第一表面，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括导电胶水、绝缘胶水、焊料、或DAF膜。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电子元件藉由导电胶水粘接在所述绝缘层上或者通过SMT贴装工艺焊接在所述绝缘层上。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电子元件为被动元件或主动元件，其中，所述被动元件包括电容、电阻、或电感，所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装框架的第一表面包括封装于所述封装体的第一器件区及与所述第一器件区空间隔离的第二器件区，所述电子元件设置在所述第一器件区，所述第二器件区上设置有主动元件，所述主动元件通过键合引线与所述外接引脚和/或所述引线键合部电气连接，所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述主动元件藉由粘贴工艺或共晶工艺设置在所述封装框架的第一表面，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括绝缘胶水或DAF膜。