[发明专利]NAND存储器的栅极结构形成方法、NAND存储器及光罩掩膜版

权利要求书

1.一种NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，包括：

S1：提供衬底，在所述衬底上依次形成栅极结构层、图形传递层、芯轴图形层以及有机介电质Tri-Layer层；

S2：以第一光罩掩膜版为掩膜进行第一道光刻曝光工艺，在有机介电质Tri-Layer层的光刻胶层上形成芯轴图形形貌，所述芯轴图形形貌包括用于形成控制栅极结构的芯轴图形形貌、用于形成外围栅极结构的芯轴图形形貌以及用于形成选择栅极结构的芯轴图形形貌；

S3：在步骤S2形成的芯轴图形形貌下，进行有机介电质Tri-Layer层和芯轴图形层刻蚀工艺，并去除有机介电质Tri-Layer层，形成芯轴图形结构，所述芯轴图形结构包括用于形成控制栅极结构的芯轴图形结构、用于形成外围栅极结构的芯轴图形结构以及用于形成选择栅极结构的芯轴结构；

S4：对步骤S3形成的芯轴图形结构通过修正工艺使其关键尺寸减小，形成减小了尺寸的芯轴图形结构；

S5：在步骤S4形成的芯轴图形结构的周围进行侧墙沉积工艺，继而通过侧墙刻蚀工艺形成带侧墙芯轴图形结构，所述带侧墙芯轴图形结构包括用于形成控制栅极结构的带侧墙芯轴图形结构、用于形成外围栅极结构的带侧墙芯轴图形结构以及用于形成选择栅极结构的带侧墙芯轴结构；

S6：以第二光罩掩膜版为掩膜进行第二道光刻曝光工艺，使光刻胶覆盖用于形成选择栅极结构的带侧墙芯轴图形结构和用于形成外围栅极结构的带侧墙芯轴图形结构，而将用于形成控制栅极结构的带侧墙芯轴图形结构区域的光刻胶显开；

S7：以步骤S6中形成的光刻胶为掩膜将用于形成控制栅极结构的带侧墙芯轴图形结构中的芯轴结构去除，继而去除步骤S6中形成的光刻胶，形成用于形成控制栅极结构的侧墙结构、用于形成选择栅极结构的带侧墙芯轴图形结构以及用于形成外围栅极结构的带侧墙芯轴图形结构；以及

S8：以步骤S7中形成的用于形成控制栅极结构的侧墙结构、用于形成外围栅极结构的带侧墙芯轴图形结构以及用于形成选择栅极结构的带侧墙芯轴图形结构为掩膜层进行刻蚀形成控制栅极结构、外围栅极结构和选择栅极结构。

2.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，栅极结构层包括氧化硅层、浮栅层、氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层以及控制栅层。

3.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，图形传递层包括氮化硅层、氧化硅层以及无定型硅层。

4.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，芯轴图形层包括正硅酸乙酯生成的氧化硅膜层以及高温氧化物沉积层。

5.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，有机介电质Tri-Layer层包括有机介电质层、含硅抗反射层以及光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，步骤S2中所述用于形成外围栅极结构的芯轴图形形貌和用于形成选择栅极结构的芯轴图形形貌较用于形成控制栅极结构的芯轴图形形貌的尺寸大。

7.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，步骤S2中用于形成选择栅极结构的芯轴图形形貌与用于形成控制栅极结构的芯轴图形形貌相邻。

8.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，步骤S3中所述用于形成外围栅极结构的芯轴图形结构和用于形成选择栅极结构的芯轴图形结构较用于形成控制栅极结构的芯轴图形结构的尺寸大。

9.根据权利要求1所述的NAND存储器的栅极结构形成方法，其特征在于，步骤S3中用于形成选择栅极结构的芯轴图形结构与用于形成控制栅极结构的芯轴图形结构相邻。