[发明专利]一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法

权利要求书

1.一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法，其特征在于，包括下述步骤：

S1：用两入射的相干平行光对记录材料进行第一次曝光，入射角θ由下式确定：2sinθ＝λ/d，其中λ为记录光源的激光波长，d为光栅周期，所述记录材料为可形成浮雕状干涉条纹的记录干版，所述记录光源的波长为记录干版敏感的激光波长；

S2：在不改变记录光束的前提下，利用步进电机调整记录材料的位置，移动的距离由所需要得到的全息光栅占宽比决定；

S3：调整完成之后进行第二次曝光；

S4：两次曝光完成后进行显影，即得到所需的小占宽比全息光栅。

2.根据权利要求1所述的全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的制备方法，其特征在于，所述利用步进电机调整记录材料的位置，包括利用步进电机水平移动记录材料的位置或垂直移动记录材料的位置。

3.根据权利要求2所述的全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的制备方法，其特征在于，所述利用步进电机水平移动记录材料的位置，所述占宽比与记录材料水平移动距离之间的关系是：其中σ1是第一次曝光后的占宽比，L1是第一次曝光后的线宽，d1是第一次曝光后的光栅周期，σ2是第二次曝光后的占宽比，L2是第二次曝光后的线宽，d2是第二次曝光后的光栅周期，D是记录材料水平移动距离。

4.根据权利要求2所述的全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的制备方法，其特征在于，所述利用步进电机垂直移动记录材料的位置，所述占宽比与记录材料水平移动距离之间的关系是：其中σ1是第一次曝光后的占宽比，L1是第一次曝光后的线宽，d1是第一次曝光后的光栅周期，σ2是第二次曝光后的占宽比，L2是第二次曝光后的线宽，d2是第二次曝光后的光栅周期，D是记录材料水平移动距离。

5.根据权利要求1-4之一所述的全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的制备方法，其特征在于,所述的可形成浮雕状干涉条纹的记录干版可选用为光致抗蚀剂干版。

6.根据权利要求1-4之一所述的全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的制备方法，其特征在于，所述记录光源的波长可选用为He-Cd激光器的442nm波长或Ar+激光器的458nm波长。