[发明专利]显示装置及显示装置的制作方法

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管层，设置于所述衬底基板上，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极线层和源漏电极层；

显示器件层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述衬底基板的一侧上；以及

遮光层，设置于所述薄膜晶体管层与所述衬底基板之间，所述遮光层由非金属遮光材料制成。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极线层设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影区域覆盖所述栅极线层在所述衬底基板上的正投影区域。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示器件层包括层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，所述发光层在所述衬底基板上的正投影区域不与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域重叠。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括层叠设置于所述源漏电极层上的钝化保护层、平坦层和像素定义层，所述阳极层设置于所述平坦层远离所述钝化保护层的一侧上，并通过贯穿所述平坦层和所述钝化保护层的过孔与所述源漏电极层连接。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述非金属遮光材料包括非晶硅材料或金属氧化物材料。

7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述金属氧化物材料包括IGZO、IZTO或IGZTO。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述遮光层的厚度取值介于500A～2000A之间。

9.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积一层非金属遮光材料，形成遮光层；

在所述衬底基板靠近所述遮光层的一侧上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层；

在所述缓冲层上形成有源层；

在所述有源层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧上形成栅极线层；

对未被所述栅极线层和所述栅极绝缘层覆盖的所述有源层进行等离子体处理，形成N+半导体部分，所述有源层中未进行等离子体处理的作为沟道部分；

在所述缓冲层上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极线层；

蚀刻所述层间绝缘层，以暴露所述N+半导体部分；以及

在所述层间绝缘层上形成源漏电极层，所述源漏电极层通过所述过孔与所述N+半导体部分连接。

10.如权利要求9所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述非金属遮光材料包括非晶硅材料或金属氧化物材料。