[发明专利]银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法

权利要求书

1.一种银薄膜蚀刻液组合物，其包含：

(A)0.01～20重量％的银蚀刻促进剂、

(B)0.1～20重量％的无机酸、

(C)0.1～30重量％的硫酸氢盐、和

(D)余量的水，

所述银蚀刻促进剂(A)包含铁盐，

所述铁盐不包含氯化合物，

所述硫酸氢盐(C)包含选自硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸氢铵中的一种以上，

所述银薄膜由银构成。

2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其进一步包含(E)选自唑化合物、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、有机盐和无机盐中的一种以上化合物。

3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，相对于组合物总重量，进一步包含(E)选自唑化合物、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、有机盐和无机盐中的一种以上化合物0.1～20重量％。

4.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，所述铁盐包含选自由硝酸亚铁、硝酸铁、硫酸亚铁和硫酸铁组成的组中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，所述无机酸(B)包含选自由硫酸和硝酸组成的组中的一种以上。

6.根据权利要求2所述的银薄膜蚀刻液组合物，所述唑化合物包含选自由吡咯系、吡唑系、咪唑系、三唑系、四唑系、五唑系、唑系、异唑系、噻唑系和异噻唑系组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求2所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物为选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的一种以上。

8.根据权利要求2所述的银薄膜蚀刻液组合物，所述有机盐包含选自由乙酸铵、乙酸钠和乙酸钾组成的组中的一种以上。

9.根据权利要求2所述的银薄膜蚀刻液组合物，所述无机盐包含选自硝酸钠、硝酸钾、硝酸镁、硫酸钠、硫酸钾以及硫酸镁、磷酸二氢钠、磷酸二氢钾、磷酸二氢铵、磷酸氢二钠、磷酸氢二钾、磷酸氢二铵中的一种以上。

10.根据权利要求1或2所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻由银构成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。

11.根据权利要求10所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜为选自由氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化铟锡锌ITZO和氧化铟镓锌IGZO组成的组中的一种以上。

12.根据权利要求10所述的银薄膜蚀刻液组合物，所述多层膜包含以透明导电膜/银、或透明导电膜/银/透明导电膜的方式形成的多层膜。

13.一种蚀刻方法，其包括：

在基板上形成由银构成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的步骤；

在所述单层膜或所述多层膜上选择性留下光反应物质的步骤；以及

使用权利要求1～12中任一项所述的银薄膜蚀刻液组合物蚀刻所述单层膜或所述多层膜的步骤。

14.一种金属图案的形成方法，其包括：

在基板上形成由银构成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的步骤；以及

使用权利要求1～12中任一项所述的银薄膜蚀刻液组合物蚀刻所述单层膜或所述多层膜的步骤。