[发明专利]一种砷化镓基LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

S1，在外延片表面P型层上制作欧姆接触层；

S2，对完成欧姆材料制备的外延片进行热退火处理；

S3，在所述欧姆接触层表面制作P电极；

S4，将所述外延片固定到热解膜上，热解膜作为外延片的支撑，将外延片的衬底研磨至需要厚度，对研磨面进行去离子水冲洗；

S5，对研磨后的外延片进行N面蒸镀，蒸镀温度为180-300℃；

S6，对蒸镀完成的晶片进行N面合金，合金温度为360-380℃，合金过程中，所述热解膜脱落；

S7，对热解膜脱落的晶片进行半切测试，得到芯粒参数；

S8，对半切测试后的晶片进行全切操作，形成独立的芯粒。

2.根据权利要求1所述的砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，所述步骤S5中的蒸镀温度小于180℃，在所述步骤S5和S6之间还包括对蒸镀完的晶片进行热解膜解膜处理：N面向上，加热至180-250℃，将热解膜取下。

3.根据权利要求1或2所述的砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，步骤S1中，所述欧姆接触层的材料为ITO或AuBe，ITO厚度为10-360nm，AuBe厚度10-20nm。

4.根据权利要求1或2所述的砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，所述步骤S2中，所述热退火处理的方式为快速热退火或炉管退火，退火温度为450-550℃，退火时间3-15min，氮气流量2-5L/min。

5.根据权利要求1或2所述的砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，所述步骤S3中，利用剥离法进行P电极制作。

6.根据权利要求1或2所述的砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，所述S4中，将所述外延片固定到热解膜上的具体过程为：

将外延片固定到单面热解膜的热解胶面；

对外延片进行定位，定位方法为使用0.1-1.0MPa的压力，在室温条件下，按压5-15min。

7.根据权利要求6所述的砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，进行衬底研磨的设备为真空吸附研磨；所述需要厚度为80-200um。

8.根据权利要求1或2所述的砷化镓基LED芯片的制作方法，其特征是，所述步骤S5中的N面蒸镀金属为Ni、Ge、Au、Ti中的一种或几种。