[发明专利]用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法

权利要求书

1.用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：

当相变材料层厚度减小到20nm以下时，利用相变材料具有的多个接触界面，所述接触界面包括相变材料层分别与一对电极的第一电极、第二电极以及绝缘介质层的接触界面，通过所述第一电极、第二电极分别选材自不同的电极材料，同时通过所述绝缘介质层选材自不同的绝缘介质材料，在同一结构中主动在多个不同的接触界面上对相变材料的晶化阈值进行调控。

2.如权利要求1所述的用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：

通过所述第一电极、第二电极分别选材自惰性电极或活性电极，同时通过所述绝缘介质层选材自不同的绝缘介质材料，在同一结构中主动在多个不同的接触界面上对相变材料的晶化阈值进行调控。

3.如权利要求1所述的用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：

通过所述第一电极、第二电极分别选材自不同的电极材料，同时通过所述绝缘介质层选材自氮氧化物或非氮氧化物，在同一结构中主动在多个不同的接触界面上对相变材料的晶化阈值进行调控。

4.如权利要求2所述的用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：

通过所述第一电极或第二电极使用惰性电极，主动降低相变材料的晶化阈值；

或者，

通过所述第一电极、第二电极中的至少一个使用活性电极，主动减少其他接触界面上对相变材料的晶化阈值降低或提高的程度。

5.如权利要求3所述的用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：

通过所述绝缘介质层使用氮氧化物，主动降低相变材料的晶化阈值；

或者，

通过所述绝缘介质层使用非氮氧化物，主动提高相变材料的晶化阈值。

6.如权利要求1所述的用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于，包括如下方面的内容：

测试确定不同的电极材料对相变材料的晶化阈值的调控趋势；

测试确定不同的绝缘介质材料对相变材料的晶化阈值的调控趋势；

当设计晶化阈值较相变材料本征阈值更高或更低的器件时，根据该调控趋势，选用相应的电极材料或绝缘介质材料。

7.如权利要求1所述的用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：包括如下方面的内容：

测试确定不同的电极材料组合不同的绝缘介质材料时，对相变材料的晶化阈值的整体调控趋势；

当设计晶化阈值较相变材料本征阈值更高或更低的器件时，根据该调控趋势，选用相应的电极材料和绝缘介质材料的组合。

8.如权利要求6所述的用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：

测试确定不同的电极材料对相变材料的晶化阈值的调控趋势的步骤包括：

S1、第一电极、第二电极分别选用不同的电极材料；

S2、中间相变材料选用不同的厚度，其中包括20nm以下的若干厚度组，以及大于20nm的对比厚度组，用于反映相应相变材料的本征阈值；

S3、针对每一种电极材料、不同相变材料厚度的组合，进行拉曼散射测试，获得相应的拉曼光谱图；

S4、将20nm以下的其他厚度组与对比厚度组的拉曼光谱图对比，判断出电极材料对相变材料的晶化阈值的调控趋势。