[发明专利]增强型异质结场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910891750.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600548A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;吕元杰;谭鑫;周幸叶;宋旭波;房玉龙;张志荣;郭艳敏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 帽层 异质结场效应晶体管 增强型 缓冲层 介质层 势垒层 栅电极 半导体器件技术 阈值电压 漏电极 源电极 引入 衬底 分列 | ||
1.一种增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层和帽层；
所述帽层自下而上依次包括介质层、P型掺杂帽层和N型掺杂帽层；
所述缓冲层上分列有源电极和漏电极，所述N型掺杂帽层上设有栅电极。
2.根据权利要求1所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，所述帽层还包括介质插层；
所述介质插层位于所述P型掺杂帽层和所述N型掺杂帽层之间。
3.根据权利要求1所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，所述P型掺杂帽层自下而上依次包括第一掺杂浓度的P型帽层和第二掺杂浓度的P型帽层；
所述第一掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，所述P型掺杂帽层为均匀掺杂或非均匀掺杂。
5.根据权利要求1所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，所述N型掺杂帽层为均匀掺杂或非均匀掺杂。
6.根据权利要求1所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，所述帽层全部或部分位于所述栅电极的正下方。
7.根据权利要求1所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，所述帽层的形成方法包括干法刻蚀和/或湿法腐蚀。
8.根据权利要求1至7任一项所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，还包括钝化层；
所述钝化层全部覆盖所述栅电极，且，所述钝化层全部覆盖所述势垒层和/或所述帽层，且，所述钝化层部分覆盖所述源电极和所述漏电极。
9.根据权利要求8所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述钝化层上的场板结构。
10.根据权利要求9所述的增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，所述场板结构包括源场板和漏场板中的任意一种。
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