[发明专利]一种侧壁电极阻变存储结构及其制备方法

权利要求书

1.一种侧壁电极阻变存储结构，其特征在于，包括：第一介电质层、低迁移率材料层、第一金属栓塞、第一电极、阻变层和第二电极；所述低迁移率材料层设置在所述第一介电质层上；所述第一电极和所述阻变层均设置于所述低迁移率材料层上；所述第一电极、所述阻变层和所述第二电极依次相接；所述第一金属栓塞贯穿所述第一介电质层和所述低迁移率材料层，且其上端与所述第一电极相接；

所述侧壁电极阻变存储结构还包括金属层，所述金属层设置于所述第二电极上方；所述第二电极与所述金属层相连接；

所述侧壁电极阻变存储结构还包括设置在所述低迁移率材料层上的第二介电质层，所述第二介电质层包裹所述第一电极、所述阻变层、所述第二电极和所述金属层，所述金属层的上端面从所述第二介电质层上端面露出。

2.根据权利要求1所述的侧壁电极阻变存储结构，其特征在于，所述第二电极设置于所述低迁移率材料层上。

3.根据权利要求2所述的侧壁电极阻变存储结构，其特征在于，所述侧壁电极阻变存储结构还包括第二金属栓塞，所述第二金属栓塞设置在所述第二电极与所述金属层之间且其上端和下端分别连接到所述第二电极和所述金属层。

4.根据权利要求1所述的侧壁电极阻变存储结构，其特征在于，所述第二电极设置于所述阻变层上，所述第二电极的下端与所述阻变层相连接。

5.根据权利要求4所述的侧壁电极阻变存储结构，其特征在于，所述侧壁电极阻变存储结构还包括第三电极，所述第三电极设置于所述低迁移率材料层上，且与所述阻变层相接，所述第三电极与所述第一电极分别位于所述阻变层的两侧。

6.一种侧壁电极阻变存储结构制备方法，其特征在于，包括：

提供第一介电质层；

在所述第一介电质层上沉积形成低迁移率材料层；

制备贯穿所述低迁移率材料层和所述第一介电质层的第一通孔；

在所述第一通孔内形成第一金属栓塞；

在所述低迁移率材料层上沉积形成电极材料层；

在所述电极材料层上开设一上下贯穿且将所述电极材料层分开为左右两部分的通道，在所述通道内沉积阻变材料，形成阻变层；

对所述电极材料层进行图案化处理形成第一电极和第二电极；

在所述低迁移率材料层上沉积形成第二介电质层；

在所述第二介电质层上制备第二通孔；

在所述第二通孔内沉积形成第二金属栓塞，第二金属栓塞的下端与所述第二电极相接触；

在所述第二介电质层上、所述第二金属栓塞的上方开设凹槽，在所述凹槽内沉积形成金属层，所述第二金属栓塞的上端与所述金属层的底面相接触。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述低迁移率材料层上沉积形成第二介电质层；

在所述第二介电质层上制备第二通孔；

在所述第二通孔内沉积形成第三电极，所述第三电极的下端与所述阻变层相接触。