[发明专利]一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片在审

申请号：	201910822392.2	申请日：	2019-09-02
公开（公告）号：	CN110444645A	公开（公告）日：	2019-11-12
发明（设计）人：	汤英文	申请（专利权）人：	闽南师范大学
主分类号：	H01L33/40	分类号：	H01L33/40;H01L33/46
代理公司：	北京天盾知识产权代理有限公司 11421	代理人：	赵桂芳
地址：	363000 福***	国省代码：	福建;35
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摘要：
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【说明书】：

本发明属于发光二极管技术领域，公开了一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片，设置有P面；P面先生长一层SiO₂或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO₂或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；在SiO₂或ITO上形成微米的反射电极，反射电极的起粘结层作用与SiO₂连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；全反射镜与导电基板键合在一起，在发光二极管芯片N层层上端设置有N电极。本发明能使Ag与SiO₂或ITO紧密粘在一起，使Ag做反射电极，降低了芯片制造成本，提高了对红黄光的反射率。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片。

背景技术

目前，业内常用的现有技术是这样的：

具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片:红黄光芯片为了增加出光效率，必须做成反极性芯片，目前反极性芯片都是在P面先生长一层SiO₂或者ITO，然后在光刻腐蚀出SiO₂或ITO的孔，露出P面，然后在SiO₂或ITO上形成AuBe反射电极，反射电极与SiO₂或ITO一起组成芯片的全反射镜，再与导电基板键合在一起，去掉红黄光生长衬底，在N面上形成N电极，形成高亮度的芯片，这里反射电极用Au有两个方面的缺点：

Au对红黄光的反射率没有Ag的高。

Au的使用增加了芯片制造成本，红黄光芯片一直没有使用Ag做反射电极，主要是没有好的办法使Ag与SiO₂或ITO紧密粘在一起，这样就不能使用Ag做反射电极。

综上所述，现有技术存在的问题是：

(1)Au对红黄光的反射率没有Ag的高。

(2)Au的使用增加了芯片制造成本，红黄光芯片一直没有使用Ag做反射电极，主要是没有好的办法使Ag与SiO₂或ITO紧密粘在一起，这样就不能使用Ag做反射电极。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片。

本发明是这样实现的，一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片设置有：

P面；

P面先生长一层SiO₂或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO₂或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；

在SiO₂或ITO₅上形成Al1-/Cu1-/Ag-5微米的反射电极，反射电极的Al1-/Cu1-起粘结作用与SiO₂连接，反射电极与SiO₂或ITO一起组成芯片的全反射镜；

全反射镜与导电基板键合在一起，SiO₂或ITO层上端设置有N电极。