[发明专利]晶圆设计影像分析方法、系统与非暂态计算机可读取媒体有效

专利信息
申请号: 201910760771.3 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN110889822B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 吴政机;王文娟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G01B15/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 设计 影像 分析 方法 系统 非暂态 计算机 读取 媒体
【说明书】:

一种晶圆设计影像分析的方法、系统与非暂态计算机可读取媒体。晶圆设计影像分析方法包含:取得实现于半导体晶圆上的电路图案的布局;基于长度准则来识别于布局中的一或多个多边形;于所识别的多边形上放置一或多个测量单元,从而取得多个所测量的多边形;取得电路图案的扫描电子显微镜影像;将扫描电子显微镜影像与包含所测量的多边形的布局进行对准;测量于扫描电子显微镜影像中相应于一或多个多边形的一或多个物件的临界尺寸;以及基于所测量的临界尺寸来确定电路图案是否为可接受的。

技术领域

本揭露实施例是有关于一种晶圆设计影像分析系统,且特别是有关于一种用于晶圆设计影像分析的方法、系统与非暂态计算机可读取媒体。

背景技术

传统上,使用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)来验证所取得的在晶圆上形成的电路图案的影像的品质是劳力密集且耗时的。工程师必须手动地创建测量工作。于取得影像后,透过分析测量结果来手动地验证影像的品质。因此,需要一种更有效且彻底的影像品质验证(image qualification)处理。

发明内容

本揭露的实施例提出一种晶圆设计影像分析方法,包含:取得实现于半导体晶圆上的电路图案的布局;基于长度准则来识别于布局中的一或多个多边形;于所识别的多边形上放置一或多个测量单元,从而取得多个测量目标多边形;取得电路图案的(scanningelectron microscope,SEM)影像;将SEM影像与包含测量目标多边形的布局进行对准;测量于SEM影像中相应于测量目标多边形的一或多个物件的临界尺寸;以及基于所测量的临界尺寸来确定电路图案是否为可接受的。

本揭露的实施例另提出一种晶圆设计影像分析系统,包含:用以储存多个指令的记忆体以及至少一处理器。至少一处理器用以执行指令以:取得实现于半导体晶圆上的电路图案的布局;识别具有大于第一阀值尺寸的长度的第一多边形;识别第一多边形的多个区段,其中每个区段具有等于第二阀值尺寸的长度;于所识别的多个多边形上放置一或多个测量单元,从而取得所测量的多边形;将电路图案的SEM影像与包含所测量的多边形的布局进行对准;测量于SEM影像中相应于布局中的一或多个多边形的一或多个物件的临界尺寸;以及基于所测量的临界尺寸来确定电路图案是否为可接受的。

本揭露的实施例另提出一种非暂态计算机可读取媒体,其储存由处理器执行时使得计算机执行方法的多个指令,所述方法包含:取得实现于半导体晶圆上的电路图案的布局;识别具有大于第一阀值尺寸的长度的第一多边形;识别第一多边形的多个区段,其中每个区段具有等于第二阀值尺寸的长度;于所识别的多个多边形上放置一或多个测量单元,从而取得所测量的多边形;取得电路图案的SEM影像;将SEM影像与包含所测量的多边形的布局进行对准;测量于SEM影像中相应于布局中的一或多个多边形的一或多个物件的临界尺寸;测量第一多边形中的区段的全部的临界尺寸;产生临界尺寸的正常分布;从正常分布来计算临界尺寸的平均值;将所测量的一或多个物件的临界尺寸与平均值进行比较以取得比较结果;以及基于比较结果来确定电路图案是否为可接受的。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述,可对本揭露的实施例的态样有更佳的了解。需注意的是,根据业界的标准实务,各特征并未依比例绘示。事实上,为了使讨论更为清楚,各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1是绘示根据本揭露的实施例的SEM影像品质验证处理的示意图;

图2是绘示根据本揭露的一些实施例的用于对影像进行品质验证的晶圆设计影像分析模块所执行的处理流程的示意图;

图3是绘示根据本揭露的一些实施例的基于多边形的布局分析以及自动测量单元放置的操作的结果示意图;

图4是绘示根据本揭露的一些实施例的影像至GDS对准的操作的处理流程;

图5A是绘示CD-SEM影像与从影像前处理的操作所输出的对应的前处理影像;

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