[发明专利]光罩的制造方法在审
| 申请号: | 201910754735.6 | 申请日: | 2019-08-15 |
| 公开(公告)号: | CN110837203A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
| 发明(设计)人: | 许倍诚;连大成;林秉勳;王士哲;李信昌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/58 | 分类号: | G03F1/58;G03F1/24 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 方法 | ||
1.一种光罩的制造方法,其特征在于,该方法包含:
形成一保护层于一基板上方,其中该保护层保护该基板免受一极紫外光(EUV)辐射;
形成多个反射薄膜多层于该保护层上方;
形成一覆盖层于该多个反射薄膜多层上方;
形成一吸收层于该覆盖层上方;
形成一第一光阻层于部分的该吸收层上方;
图案化部分的该第一光阻层与该吸收层,借以形成多个第一开口于该吸收层中,其中所述多个第一开口暴露出部分的该覆盖层;
移除该第一光阻层的剩余部分;
形成一第二光阻层于部分的该吸收层上方,其中该第二光阻层至少覆盖所述多个第一开口;
图案化未被该第二光阻层覆盖的该吸收层、该覆盖层、与该多个反射薄膜多层的部分,借以形成多个第二开口,其中所述多个第二开口暴露出部分的该保护层;以及
移除该第二光阻层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





