[发明专利]基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器的制备方法，其特征是，

基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以聚酰亚胺薄膜为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓Ga₂O₃为光探测材料，使用氮化钛半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极-半导体层-金属电极MSM结构探测器，实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测；

Ga₂O₃非晶薄膜上制备一对TiN电极，探测器使用Ga₂O₃非晶薄膜为光吸收和光探测材料，日盲紫外光照射下薄膜的导电特性发生改变；Ga₂O₃非晶薄膜采用磁控溅射方法制备；

日盲紫外探测器传感器使用TiN为电极材料，无紫外光照射时TiN电极与Ga₂O₃非晶薄膜形成肖特基接触，日盲紫外光照射下TiN电极与Ga₂O₃非晶薄膜的接触特性发生改变；

通过光刻、刻蚀和薄膜沉积半导体工艺形成TiN叉指状一对电极，日盲紫外探测器为金属-半导体-金属即MSM结构；探测器选用的聚酰亚胺柔性衬底厚度为20-180 μm，Ga₂O₃薄膜为非晶结构，厚度为10-200 nm，TiN电极膜厚为20-200 nm；

具体步骤为：

（1）选用聚酰亚胺薄膜织物为柔性衬底，并进行剪裁和清洗；

（2）使用磁控溅射方法沉积Ga₂O₃非晶薄膜，厚度为10-200 nm；

（3）使用光刻、刻蚀以及磁控溅射工艺沉积TiN电极，形成MSM结构光探测器；

（4）引线键合至芯片电路。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：MSM结构的电极的总面积为440±200×500±200 μm，叉指状电极的间距为5-20 μm。