[发明专利]一种减少荧光物附着阳极表面的特殊工艺在审
| 申请号： | 201910679182.2 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110544652A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张艳娟;许国庆 | 申请（专利权）人： | 沈阳富创精密设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 俞鲁江<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体产品 阳极 荧光 表面清洁度 清洁度要求 重要零部件 产品表面 多个方面 工艺表面 制造工艺 荧光物 喷涂 研发 制程 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少荧光物附着阳极表面的特殊工艺，其特征在于：
将阳极前边角的R设计到尺寸公差带内的最大值，防止荧光、发光颗粒、纤维密集残留于R角内。
2.根据权利要求1所述的一种减少荧光物附着阳极表面的特殊工艺，其特征在于：
缩短刷镍前遮蔽和刷镍的时间间隔，遮蔽后严格控制刷镍时间，遮蔽后4小时内完成刷镍并去除胶带，避免有机物残留阳极表面。
3.根据权利要求1所述的一种减少荧光物附着阳极表面的特殊工艺，其特征在于：
阳极后刷镍前需遮蔽已完成的阳极表面，指定表面不含荧光物胶水及胶带进行遮蔽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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