[发明专利]确定耐久性降低的存储器控制器、存储器系统和操作方法

说明书

提供了一种确定耐久性降低的存储器控制器、包括该存储器控制器的存储器系统、以及操作该存储器控制器的方法。存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为从存储器器件读取的数据中检测错误；耐久性确定电路，被配置为检查指示对存储器器件的写入操作的次数的第一计数值和基于从存储器器件读取的数据指示以下中的至少一个的第二计数值：存储器器件的第一存储器单元的数量，每个第一存储器单元具有错误，以及处于特定逻辑状态的存储器器件的第二存储器单元的数量，并且被配置为基于检查结果执行用于确定存储器器件的耐久性是否已经降低的第一确定操作。

交叉引用

本申请要求于2018年11月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0141130的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器控制器，更具体地，涉及一种能够确定耐久性降低的存储器控制器、包括该存储器控制器的存储器系统、以及操作该存储器控制器的方法。

背景技术

作为非易失性存储器器件，除了闪存之外，诸如相变随机存取存储器(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)，电阻RAM(RRAM)等的电阻性存储器在本领域中是公知的。电阻性存储器具有闪存的非易失性特性，以及动态RAM(DRAM)的高速特性。

当写入和/或读取周期增加时，电阻性存储器可能达到其寿命的终点，然后数据可能不再被写入电阻性存储器中或者存储在电阻性存储器中的数据可能丢失，从而降低可靠性。因为即使已经保持适当的可靠性，当电阻性存储器的耐久性随着写入和/或读取周期的增加而降低时存在数据突然丢失的风险，因此需要准确地确定耐久性是否降低。

发明内容

本发明构思提供了一种能够防止由于耐久性降低导致的数据可靠性降低的存储器控制器、包括存储器控制器的存储器系统、以及操作存储器控制器的方法。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种控制存储器器件上的存储器操作的存储器控制器，该存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为从读取自存储器器件的数据中检测错误；耐久性确定电路，被配置为检查指示存储器器件上的写入操作的次数的第一计数值和基于从存储器器件读取的数据指示以下中的至少一个的第二计数值：存储器器件的多个第一存储器单元，第一存储器单元中的每一个均具有错误，以及处于特定逻辑状态的存储器器件的多个第二存储器单元，并且被配置为基于检查结果执行用于确定存储器器件的耐久性是否已经降低的第一确定操作。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储器系统，包括：存储器器件，包括多个单元块，每个单元块包括多个页，并且每个页包括多个存储器单元；存储器控制器，被配置为：控制存储器器件上的存储器操作，并执行用于对多个单元块的第一单元块的写入操作的计数进行计数的第一计数操作、用于计数第一单元块的第一页中的错误单元的数量和第一页中的第一逻辑状态中的单元的数量中的至少一个的第二计数操作、以及用于基于第一计数操作和第二计数操作的结果确定第一页的耐久性是否已经降低的第一确定操作。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种操作存储器控制器的方法，该存储器控制器控制存储器器件上的存储器操作，该方法包括：执行指示访问存储器器件的第一页或包括第一页的第一单元块的次数的第一计数；基于从第一页读取数据的结果，执行指示第一页的存储器单元中的错误单元的数量或关闭单元(off-cell)的数量的第二计数；基于第一计数和第二计数的结果执行关于第一页的耐久性是否已经降低的第一确定；响应于对具有降低的耐久性的第一页的第一确定的结果，通过使用低于正常写入电流的电平的电平的写入电流在第一页中重写数据；通过使用在第一页中重写的数据来执行关于第一页的耐久性是否已经降低的第二确定；响应于对具有降低的耐久性的所述第一页的第二确定的结果，对所述第一页执行损耗均衡(wear-leveling)处理。

附图说明