[发明专利]纺粘法弱酸无纺布制造工艺在审
| 申请号: | 201910626889.7 | 申请日: | 2019-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN111155238A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | 张建荣 | 申请(专利权)人: | 佛山市裕丰无纺布有限公司 |
| 主分类号: | D04H3/009 | 分类号: | D04H3/009;D04H3/033;D04H3/14;D01D13/00;D01D1/04;D06B21/00;D01F6/92;D01F1/10 |
| 代理公司: | 佛山高业知识产权代理事务所(普通合伙) 44562 | 代理人: | 陈安平 |
| 地址: | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纺粘法 弱酸 无纺布 制造 工艺 | ||
本发明公开了纺粘法弱酸无纺布制造工艺,包括纺丝过程、成网过程、固网过程、亲水处理、烘干处理以及绕卷,其中布样的上油率为35%‑45%,使布样的PH值可稳定在5.0~6.0之间,使布样与宝宝肌肤的PH值相近,则处于弱酸性状态下。
技术领域
本发明涉及非织布制造,具体涉及纺粘法弱酸无纺布制造工艺。
背景技术
宝宝的肌肤在0~6个月时,PH值6.5左右;6~18个月为6左右;18个月以上为5.5左右。宝宝穿上纸尿裤后都会形成一个自然的微环境,由于宝宝肌肤比较娇嫩,所以对于微环境的酸碱度要求也比较高。因此纸尿裤面层如与宝宝肌肤的PH值相近时,则处于弱酸性状态下,才能使肌肤处于最佳的状态。若是呈碱性(PH值大于7.5)就容易滋生细菌,引起感染发炎,免疫功能随之减弱,对宝宝的身体健康造成影响。而传统纸尿裤面层材料的PH值一般都大于6.5,如何使宝宝肌肤处于一个干爽、安全、舒适的环境是本领域需要解决的重大问题。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供纺粘法弱酸无纺布制造工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:纺粘法弱酸无纺布制造工艺,包括以下步骤,
a.纺丝过程,同时设置S1纺粘主机、S2纺粘主机进行纺丝,将PP切片主料和辅助母料分别加入混料器内进行混料,混合均匀后进入螺杆挤出机中,螺杆挤出机套筒分区加热,切片粒子在螺杆挤出机中混合熔融后形成熔体,熔体进入过滤器中进行过滤,过滤后的熔体经计量泵后进入纺丝箱体混合均匀再进入喷丝板,并经喷丝孔喷出形成连续的熔体细流,即初生纤维,初生纤维再经单体吸收、冷风冷却和气流牵伸,最后形成长丝;
b.成网过程,S1纺粘主机于a步骤形成的长丝通过杂乱系统使纤维杂乱均匀地分散在成网帘上,通过预热轧辊进行预压形成纤网,防止出现飞丝,然后形成的纤网再依次通过随后的S2纺粘主机,S2纺粘主机于a步骤形成的长丝通过杂乱系统使纤维杂乱均匀地分散在纤网上,S1纺粘主机、S2纺粘主机的生成的纤网逐一进行在线叠层,形成SS非织造纤网;
c.固网过程,将b步骤中形成的SS非织造纤网由输送帘送进热轧机进行热粘合形成布样;
d.亲水处理,经c步骤热轧机热粘合后送入线上亲水处理装置,对c步骤中的布样进行喷洒亲水油剂;
e.烘干处理,对d步骤中的布样送入烘箱烘干;
f.绕卷,对e步骤进行烘干后的布样进行绕卷;其中d步骤中布样的上油率为35%-45%。
其中:所述PP切片主料和辅助母料具体为PP、白色母粒、第一柔软母粒、第二柔软母粒,按质量百分比算,PP 95%~98%、白色母粒0.2%~0.5%、第一柔软母粒0.5%~0.8%、第二柔软母粒1%~2%。
其中:d步骤中所喷洒的亲水油剂为Stantex S 6087-4油剂。
其中:所述亲水油剂与水相互混合,其油水混合比为1:2.5~1:3.5。
本发明的有益效果是:该工艺中分别通过纺丝过程、成网过程、固网过程、亲水处理、烘干处理以及绕卷,其中布样的上油率为35%-45%,使布样的PH值可稳定在5.0~6.0之间,使布样与宝宝肌肤的PH值相近,则处于弱酸性状态下。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的工艺流程示意图;
图2是本发明的亲水装置上油工艺示意图;
图3是本发明的布样打孔结构示意图;
图4是本发明的转盘局部结构示意图;
图5是本发明的预热轧辊布置结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市裕丰无纺布有限公司,未经佛山市裕丰无纺布有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910626889.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光纤腐蚀装置
- 下一篇:具有贯穿硅通路的半导体器件及其制造方法





