[发明专利]用于集成电路的电磁干扰设备和方法有效
| 申请号: | 201910461121.9 | 申请日: | 2016-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN110263897B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
| 发明(设计)人: | T·奥达斯;A·萨拉菲亚诺斯;S·谢奈;F·马里内特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号: | G06K19/073 | 分类号: | G06K19/073;G09C1/00;H03K5/01;H04K3/00;H04L9/00;H03K5/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 集成电路 电磁 干扰 设备 方法 | ||
本申请涉及用于集成电路的电磁干扰设备和方法。提供一种用于干扰电磁辐射的设备,所述电磁辐射易于由位于在半导体衬底中和/或在半导体衬底上制造的集成电路的至少一个区域上方的互连区域的至少一部分所发射,所述设备包括:至少一个天线(5),位于电路的所述至少一个区域上方;以及生成装置(4),耦合至所述至少一个天线(5),并且被配置为生成具有至少一个伪随机特性的电信号(SE)。
本申请是申请日为2016年8月22日、申请号为201610703470.3、题为“用于集成电路的电磁干扰设备和方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施方式和实施例涉及集成电路,尤其但不限于包括安全模块的集成电路,具体地,涉及保护这类电路以免于侧信道分析(side channel analysis),并且更具体地免于由集成电路在其操作期间产生的电磁信号的分析。
背景技术
在操作中,集成电路例如在其逻辑部件的切换期间通过集成电路的金属迹线产生电磁信号。通过例如使用天线和专用数学算法分析这些电磁信号,可以得到关于所执行的操作和所操控的数据和/或它们的发生的信息。
因此,建议尽可能多地干扰由集成电路发射的电磁信号。
发明内容
因此,根据一种实施方式和实施例,提出了一种允许集成电路的电磁发射被干扰以使得甚至更难以推导由集成电路执行的操作的方法和设备。
根据一个方面,提出了一种用于干扰电磁辐射的方法,该电磁辐射由位于在半导体衬底中和/或在半导体衬底上制造的集成电路的至少一个区域上方的互连区域的部分所发射,该方法包括:将至少一个金属天线放置在集成电路的所述至少一个区域上方并且使具有至少一个伪随机特性的电信号通过所述至少一个天线。
换句话说,通过增加与集成电路的逻辑无关的电磁发射源来减少电路的信噪比,使得更加难以分析由集成电路发射的总体电磁信号,因此使得更加难以经由侧信道分析观察电路的操作。
使电信号通过的操作可以包括:生成时钟信号,向所述时钟信号的前部的至少一些伪随机地施加固定或可变的延迟以得到所述电信号,并且将所述电信号传送通过天线。
因此,这里得到具有伪随机的形状因子(所述至少一个特性)的信号。
根据一种实施方式,可以将第一天线和至少一个第二天线放置在集成电路的所述至少一个区域上方,然后,该方法可以包括:选择所述天线中的至少一个天线,并且使所述电信号通过所选择的所述至少一个天线。
根据另一方面,提出了一种用于干扰电磁辐射的设备,该电磁辐射由位于在半导体衬底中和/或在半导体衬底上制作的集成电路的至少一个区域上方的互连区域的至少一部分所发射,该设备包括:至少一个天线,位于集成电路的所述至少一个区域上方;以及生成装置,耦合至所述至少一个天线,并且被配置为生成具有至少一个伪随机特性的电信号。
生成装置可以包括:生成器,被配置为生成时钟信号;以及用于向所述时钟信号的前部的至少一些伪随机地施加固定或可变的延迟的装置。
互连部分可以包括多个金属层级,所述多个金属层级中的至少一个金属层级包括形成所述至少一个天线的至少一部分的至少一个金属迹线。
根据一个实施例,该设备可以包括第一天线和至少一个第二天线,该设备包括:选择装置,被配置为选择所述第一天线和第二天线中的至少一个天线以将所述电信号递送至所选择的所述至少一个天线。
第一天线和所述至少一个第二天线可以位于所述电路的互连区域的相同金属层级中或者不同的金属层级中。
根据一个实施例,第一天线可以位于集成电路的第一区域上方,以及所述至少一个第二天线可以位于集成电路的第二区域上方,所述第二区域不同于第一区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(鲁塞)公司,未经意法半导体(鲁塞)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910461121.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





