[发明专利]一种抗污自洁材料及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 201910342485.5 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN109942204A 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 胡新将 申请(专利权)人: 湖南飞博环保科技有限公司
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22;C01B32/198;C01B21/082
代理公司: 长沙科永臻知识产权代理事务所(普通合伙) 43227 代理人: 杨琦玲
地址: 410000 湖南省长沙市岳麓区*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 抗污 自洁 氧化石墨烯 二氧化钛 氧化硅 氧化锡 片层 制备 大型机械设备 光催化能力 可见光催化 导电能力 人力物力 亲水型 亲水性 质量比 疏油 应用 制作 生产
【权利要求书】:

1.一种抗污自洁材料,其特征在于,所述材料包括亲水型的氧化硅具有疏油的二氧化钛,具有导电能力的氧化石墨烯和氧化锡,以及具有可见光催化能力的片层g-C3N4;所述氧化石墨烯、片层g-C3N4、氧化硅、氧化锡、二氧化钛的质量比为1:(1~50):(0.5~10):(10~500):(10~500)。

2.根据权利要求1所述的抗污自洁材料,其特征在于,所述氧化石墨烯、片层g-C3N4、氧化硅、氧化锡、二氧化钛的质量比为1:(10~50):(1~6):(50~250):(50~250)。

3.根据权利要求1或2所述的抗污自洁材料,其特征在于,所述材料还包括乙醇,所述乙醇的用量与所述氧化石墨烯的体积质量比(mL/g)为(80-120):1。

4.权利要求1-3任一项所述抗污自洁材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

将所述氧化石墨烯、片层g-C3N4、氧化硅、氧化锡、二氧化钛按照质量比为1:(1~50):(0.5~10):(10~500):(10~500)加入到乙醇中,得到的混合物经搅拌、超声分散,得到所述抗污自洁材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯的制备过程包括如下步骤:将质量比为1:(0.5~2):(0.5~2)的石墨粉、K2S2O8和P2O5加入到5~40 mL质量浓度为95~99%的浓硫酸中,在60~100 ℃下反应2~6小时,然后冷却至10~50 ℃,加入500~1500 mL超纯水,放置6~24小时,将产物洗涤至中性后在20~90 ℃下干燥后得到预氧化石墨;将所述的预氧化石墨加入到100~500 mL质量浓度为95~99%的浓硫酸中,再加入质量比为1:(1~50)的NaNO3和KMnO4,在0~10 ℃下反应1~5小时,升温到20~50 ℃下反应1~5小时,加入100~1000 mL超纯水,在80~100 ℃条件下反应0.5~5小时,然后加入500~1500 mL超纯水和10~50 mL质量浓度为20~30%的 H2O2,继续反应1~5小时,将得到的产物用质量浓度为1~20% 的HCl溶液洗涤,用大量水洗涤至中性,并在20~50 ℃下超声分散1~5小时得到氧化石墨烯水悬液,将其冷冻干燥得到氧化石墨烯。

6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述片层g-C3N4的制备过程包括如下步骤:将1~100 g三聚氰胺置于坩埚中,以1~10 ℃/分钟的升温速率加热至300~600℃,并在该温度下保持1~10小时,然后获得黄色块状g-C3N4,将所述g-C3N4研磨成粉末,并加入坩埚中,以1~8℃/分钟的升温速率加热至300~600℃,并反应1~10 小时,得到片层g-C3N4

7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述搅拌为在10-50℃下搅拌100-500分钟。

8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述超声分散为在10-50℃下超声分散10-200分钟。

9.权利要求1-3任一项抗污自洁材料应用于玻璃表面的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:用玻璃研磨剂去除待涂抹玻璃表面的油污,使用乙醇清洗玻璃表面1~5次,自然风干1~5小时,将所述抗污自洁材料用玻璃刮均匀涂抹在玻璃表面,自然风干1~50小时。

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  • 贺海燕;贺祯;沈清 - 陕西科技大学
  • 2016-09-28 - 2019-03-05 - C03C17/22
  • 本发明一种Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜,光吸收良好,电阻率低,导电性能优异,其制备方法效率高,制得薄膜质量好。所述制备方法,包括如下步骤,步骤1,制备前驱体溶液;分别制备Se2‑离子水溶液和加入氧化石墨烯水溶液的Sn2+离子水溶液;步骤2,薄膜沉积;在室温下,将清洗后的基片放置在沉积容器中,将等体积的Sn2+离子水溶液和Se2‑离子水溶液加入到沉积容器中,20min后取出基片,用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积;反复沉积5–10次得到沉积薄膜;步骤3,薄膜晶化;沉积薄膜在100℃下干燥1h,或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜。
  • 一种直接在FTO导电玻璃上生长普鲁士蓝薄膜的方法-201610640098.6
  • 王金敏;钱江华;马董云 - 上海第二工业大学
  • 2016-08-08 - 2019-03-01 - C03C17/22
  • 本发明公开了一种直接在FTO导电玻璃上生长普鲁士蓝薄膜的方法。本发明中具体步骤如下:首先将铁氰化钾、还原剂、浓盐酸和去离子水混合,所述还原剂选自葡萄糖、草酸或聚乙烯吡咯烷酮中任一种,之后转移到水热反应釜中,并向水热反应釜中放一块FTO导电玻璃,其导电面朝下,100~120℃恒温水热反应一段时间,反应结束后,自然冷却至室温;取出反应釜中的FTO导电玻璃,用去离子水冲洗、吹风机吹干即可得到普鲁士蓝薄膜。本发明制备的普鲁士蓝薄膜具有良好的电致变色效应。
  • 硅纳米柱状阵列材料及其制备方法-201610604267.0
  • 李志刚;冯尚申;王天乐;南浩善 - 李志刚;台州学院
  • 2016-07-28 - 2019-02-15 - C03C17/22
  • 本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料,包括衬底和硅纳米柱状阵列膜,所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上;所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱,各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列;各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm,硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板,合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列,该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能,而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广,使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。
  • 耐刮擦且光学透明的材料和制品-201780036912.6
  • C·A·保尔森 - 康宁股份有限公司
  • 2017-06-13 - 2019-02-05 - C03C17/22
  • 公开了一种耐刮擦且光学透明的材料的实施方式,所述材料包含硅、铝、氮和任选的氧。在一个或多个实施方式中,所述材料展现出在400nm波长下小于约1x10‑3的消光系数(k),在约380nm至约780nm范围中的光学波长区内的约80%或更高的平均透射率,通过厚度为约0.4微米的材料测量。在一个或多个实施方式中,所述材料包含约12GPa或更大的本征最大硬度、低的压缩应力和低的粗糙度(Ra),所述本征最大硬度通过布氏压头硬度测试沿着约100nm或更深的压痕深度在厚度为约400的材料的主表面上测得。还公开了包含所述材料的制品和装置。
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