[发明专利]存储器装置

说明书

本揭露提供一种存储器装置包括以具有多个行及多个列的阵列排列的多个存储单元。第一字线连接到阵列的第一行的第一多个存储单元，且第二字线连接到阵列的第一行的第二多个存储单元。在一些实例中，所述多个存储单元被排列在衬底中或衬底上，并且第一字线形成在衬底的第一层中且第二字线形成在衬底的第二层中。

技术领域

本揭露的实施例是有关于一种存储器装置，且特别是有关于一种带有飞字线的存储器装置。

背景技术

数字存储器装置通常以位的形式来存储数据。举例来说，静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)包括存储阵列，所述存储阵列包括多个位单元，所述多个位单元中的每一者存储数据的一个位。所述多个位单元被排列成行及列的矩阵。每一行中的位单元连接到字线且每一列中的位单元连接到位线对。所述位线对用于从位单元存取数据，且字线控制与位线的连接。在读取及写入操作期间，字线被充以高电荷，以激活附接到字线的位单元。从目标列的对应的位线对读取数据。

发明内容

本揭露提供一种存储器装置包括以具有多个行及多个列的阵列排列的多个存储单元。第一字线连接到阵列的第一行的第一多个存储单元，且第二字线连接到阵列的第一行的第二多个存储单元。在一些实例中，所述多个存储单元被排列在衬底中或衬底上，并且第一字线形成在衬底的第一层中且第二字线形成在衬底的第二层中。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是根据一些实施例的示例性存储器装置的方块图。

图2是在图1的实施例中所使用的SRAM存储单元的实例的电路图。

图3是示出图1的存储器装置的其他方面的实例的方块图。

图4是示出根据一些实施例的存储器装置的各种层的实例的方块图。

图5是示出图1及图3的存储器装置的其他方面的实例的方块图。

图6是根据一些实施例的另一示例性存储器装置的方块图。

图7是示出根据一些实施例的方法的实例的流程图。

附图标号说明

100、200：存储器装置；

110：存储阵列；

110A：第一部分/第一多个存储单元；

110B：第二部分/第二多个存储单元；

111、112、113、114：子阵列；

111A、112A、113A、114A：第一部分；

111B、112B、113B、114B：第二部分；

120、120A、120B：字线驱动器；

130：存储单元；

132：行；

134、134A、134B、134n：列；

136、136A、136B：位线/位线对；

140：控制器；

142：层；

150：多路复用器；

151、151A、151B：第一多路复用器；

152、152A、152B：第二多路复用器；