[发明专利]氮化铝模板及其制备方法有效
| 申请号： | 201910066040.9 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477534B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张纪才;李金峰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发;王锋 |
| 地址： | 100000 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 模板 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化铝模板的制备方法，其特征在于包括：
将衬底置于反应腔室内，并于衬底上制备AlN或BN缓冲层；
向反应腔室内通入氮源、铝源，以在AlN或BN缓冲层上生长部分AlN外延层，之后向反应腔室内通入硼源，进而在生长的AlN外延层上生长形成BAlN插入层，之后停止通入硼源，继续在BAlN插入层上生长AlN外延层，从而在所述AlN外延层内制备形成至少一层BAlN插入层，进而形成所述的氮化铝模板。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：向反应腔室内通入氮源、铝源，并于1400-1500℃条件下在衬底上生长AlN缓冲层；或者，向所述反应腔室内通入氮源、硼源，并于1400-1500℃条件下在衬底上生长BN缓冲层。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：于1400-1550℃条件下生长AlN外延层和BAlN插入层。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于具体包括：在生长AlN外延层的过程中向反应腔室内间歇性地通入硼源，进而在AlN外延层内形成两层以上的BAlN插入层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于还包括：先将反应室的温度升至1400-1600℃，并向反应腔室内通入氢气以清洗衬底，之后再进行AlN或BN缓冲层的制备。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氮源包括NH3。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述铝源包括AlCl3。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硼源包括BCl3。
9.由权利要求1-8中任一项所述的氮化铝模板的制备方法制备的氮化铝模板。
10.根据权利要求9所述的氮化铝模板，其特征在于：所述AlN或BN缓冲层、AlN外延层以及BAlN插入层叠层设置。
11.根据权利要求10所述的氮化铝模板，其特征在于：两层以上的BAlN插入层间隔设置。
12.根据权利要求10所述的氮化铝模板，其特征在于：所述氮化铝模板的厚度为2-50μm。
13.根据权利要求10所述的氮化铝模板，其特征在于：所述AlN或BN缓冲层的厚度为500-2000nm。
14.根据权利要求10所述的氮化铝模板，其特征在于：所述AlN外延层的厚度为1-10μm。
15.根据权利要求10所述的氮化铝模板，其特征在于：每一层BAlN插入层的厚度为1-500nm。
16.根据权利要求9所述的氮化铝模板，其特征在于：所述衬底的材质包括蓝宝石和SiC。
17.根据权利要求10所述的氮化铝模板，其特征在于：所述氮化铝模板为氮化铝单晶薄膜或厚膜模板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
