[发明专利]控制电路、半导体存储器设备、信息处理设备以及控制方法有效

专利信息
申请号: 201880014876.8 申请日: 2018-02-14
公开(公告)号: CN110383381B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 手塚宙之 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 控制电路 半导体 存储器 设备 信息处理 以及 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种控制电路,相对于包括源极线、位线、设置在所述源极线和所述位线之间并且通过字线的电位切换导通和断开的晶体管、以及与所述晶体管串联连接的存储器元件的存储器单元,所述控制电路根据所述字线的激活输出用于使在所述源极线和所述位线中累积的电荷放电的信号,并且在开始写入或读取之前,输出使所述源极线和所述位线处于浮置状态的信号,

其中,所述源极线和所述位线中的每者从相应的第一浮置状态(i)在第一时间,响应于用于放电电荷的信号而转变到短路到地电位的相应的非浮置状态,以及(ii)在第二时间,转变到相应的第二浮置状态。

2.根据权利要求1所述的控制电路,其中,在所述源极线和所述位线都短路到所述地电位之后,所述晶体管导通。

3.根据权利要求2所述的控制电路,其中,在所述晶体管导通之后输出用于使所述源极线和所述位线处于浮置状态的信号。

4.一种半导体存储器设备,包括:

存储器单元,所述存储器单元包括设置在源极线和位线之间的存储器元件以及与所述存储器元件串联设置并且通过字线的电位切换导通和断开的晶体管;以及

控制电路,所述控制电路根据所述字线的激活输出用于使在所述源极线和所述位线中累积的电荷放电的信号,并且在开始写入或读取之前,输出用于使所述源极线和所述位线处于浮置状态的信号,

其中,所述源极线和所述位线中的每者从相应的第一浮置状态(i)在第一时间,响应于用于放电电荷的信号而转变到短路到地电位的相应的非浮置状态,以及(ii)在第二时间,转变到相应的第二浮置状态。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器设备,其中,在使所述源极线和所述位线都短路到所述地电位之后,所述控制电路导通所述晶体管。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器设备,其中,所述控制电路在导通所述晶体管之后输出用于使所述源极线和所述位线处于浮置状态的信号。

7.根据权利要求4所述的半导体存储器设备,其中,所述存储器元件是可变电阻存储器元件。

8.根据权利要求4所述的半导体存储器设备,其中,所述存储器元件是可变磁阻存储器元件。

9.一种信息处理设备,包括至少一个根据权利要求4所述的半导体存储器设备。

10.一种由处理器执行的控制方法,包括:

相对于包括源极线、位线、设置在所述源极线和所述位线之间并且通过字线的电位切换导通和断开的晶体管、以及与所述晶体管串联连接的存储器元件的存储器单元,根据所述字线的激活,输出用于使在所述源极线和所述位线中累积的电荷放电的信号;以及

在开始写入或读取之前,输出用于使所述源极线和所述位线处于浮置状态的信号,

其中,所述源极线和所述位线中的每者从相应的第一浮置状态(i)在第一时间,响应于用于放电电荷的信号而转变到短路到地电位的相应的非浮置状态,以及(ii)在第二时间,转变到相应的第二浮置状态。

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