[实用新型]一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件有效
| 申请号： | 201821625940.X | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN209766475U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 曹凯;宋存江;李宗涛;汤勇;余彬海;丁鑫锐 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 发光层 电子传输层 空穴传输层 接触连接 电致发光器件 本实用新型 发光层结构 透明导电 衬底 载流子非辐射复合 电极设置 发光效率 有效解决 针孔缺陷 漏电流 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：由下至上，依次包括透明导电衬底（10）、空穴传输层（11）、钙钛矿发光层（12）、电子传输层（13）和电极（14）；所述钙钛矿发光层（12）为具有绝缘聚合物和导电聚合物的两层结构，厚度为160～220nm。
2.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述绝缘聚合物与电子传输层（13）接触连接，厚度为10～20nm。
3.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述导电聚合物与空穴传输层（11）接触连接，厚度为150～200nm。
4.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述透明导电衬底（10）为ITO玻璃或FTO导电玻璃衬底，厚度为1～3mm，电阻为60～150Ω。
5.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层（13）为TPBI、CBP或TmPyPB，厚度为80～100nm。
6.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述电极（14）的厚度为80～100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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