[实用新型]一种带输入保护的新型电源功率模块结构

说明书

本实用新型提供了一种带输入保护的新型电源功率模块结构，属于半导体元器件领域，包括四个整流芯片、一个过压保护芯片、两个输入端子、两个输出端子及塑封体，其特征在于，还包括依次相对设置的第一框架单元、第二框架单元及第三框架单元，四个整流芯片设置在第一框架单元与第二框架单元之间、过压保护芯片设置在第二框架单元与第三框架单元之间形成叠层结构，两个输入端子从第二框架单元引出，两个输出端子从第一框架单元引出；采用叠层结构将四个整流芯片与过压保护芯片进行同体封装，形成四个整流芯片平铺并与过压保护芯片垂直整合的结构，封装结构空间布局更加合理，产品在PCB板上占用的平面空间小，解决了PCB板上的空间利用率问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体元器件领域，具体涉及一种带输入保护的新型电源功率模块结构。

背景技术

随着社会的发展，电子产品也是越来越精密，电子产品对电源的要求也越来越高。现有的交流电网在受到雷击和电力设备启停等因素时，会在电网中产生瞬间干扰，这干扰会对电子设备及电路进行损坏。在电子产品中会用到了许多使用直流电的电子元器件，所以在接入电网前需要添加交流变直流并且带有整流稳压结构的电子元器件如整流桥等，以实现对其他电子元器件的保护。现有的瞬态抑制二极管具有极快的响应时间（纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力，能保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。一般瞬态抑制二极管安装在电源输入或输出模块，负责保护整个电路中的所有元器件，但在电路板中单独焊接TVS管，不仅成本高，还要占据不小的空间，不利于电子产品微型化。

针对此问题，申请号为201621042098.8的实用新型专利公布了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片固定设于第四引线框架上，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。该结构采用四条引线搭接的形式进行焊线布置，整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展。

上述结构虽然在一定程度上解决了在电路板上单独焊接TVS二极管占用空间大的问题，但是还存在如下问题：焊线工艺本身具有局限性，生产效率相对较低，对生产条件也较苛刻，而且采用的引线在塑封过程中很容易出现焊线坍塌的现象，造成产品良率偏低，同时影响到产品的品质；所采用的引线一般为铜线，而为了满足封装的要求，所用铜线细度要求极高，势必造成产品成本的提高，且搭线操作比较麻烦，搭线速度慢，影响生产效率；另外，该结构采用焊线工艺将TVS二极管与整流桥的芯片以平铺式焊接在一起，结构布局不够合理，在PCB板上占用平面空间较大，不仅制约了整流桥的微型化发展，而且这种结构直接导致了其加工工序过程中每组框架所能封装的整流桥的数量，影响产品的生产效率。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种带输入保护的新型电源功率模块结构，采用叠层结构将整流桥与过压保护芯片同体封装，空间布局更加合理，产品在PCB板上占用的平面空间小，利于整流桥产品的微型化发展，扩大其应用的广泛性；同时这种空间布局结构中所采用的各个支架之间设计更加合理，提高了单组框架所能封装的整流桥数量，大大提高了生产效率，降低成本；另外本结构更加稳定，能够避免焊线坍塌造成的产品良率低的现象。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种带输入保护的新型电源功率模块结构，包括四个整流芯片、一个过压保护芯片、两个输入端子、两个输出端子及塑封体，所述过压保护芯片可采用但不限于TVS芯片、压敏电阻芯片，其特征在于，还包括依次相对设置的第一框架单元、第二框架单元及第三框架单元，四个整流芯片设置在第一框架单元与第二框架单元之间、过压保护芯片设置在第二框架单元与第三框架单元之间形成叠层结构；