[实用新型]一种激光芯片端面解理钝化装置

说明书

本实用新型涉及一种激光芯片端面解理钝化装置，包括按样品处理工艺依次连通的进样腔、预处理腔、解理腔和钝化腔，以及用于传送样品的第一传送机构、第二传送机构和第三传送机构；进样腔、预处理腔和第一传送机构均设置有两个，进样腔包括腔体、样品台和进样加热装置，通过进样加热装置对样品进行高温烘烤，可以去除样品上依附的空气中的水汽和杂质，减少外界环境杂质对真空腔室的污染。第三传送机构上设置有传送叉，传送叉上安装有多个用于装夹所述样品的夹具。通过上述双套进出样机构以及多夹具设计，本实用新型提供的激光芯片端面解理钝化装置可显著缩短系列工艺过程中的时间成本，大幅提高源材料使用效率，提升整机使用效率，提高装置产能。

技术领域

本申请属于半导体光电子技术领域，具体涉及一种激光芯片端面解理钝化装置。

背景技术

半导体激光器在生产和使用中，其光学元件部分会出现退化现象。退化现象会影响半导体激光器的寿命和使用的稳定性。为了降低半导体激光器腔面污染给激光器带来损伤，需要采用激光芯片端面解理钝化装置在半导体腔面生成钝化层。

如图1所示，现有的激光芯片端面解理钝化装置一般包括进样腔、预处理腔、解理腔和钝化腔，进样腔可容纳一个样品台，样品台里装载规定数量的激光芯片样品，预处理腔，作为真空缓冲区域，解理腔进行解理工艺，钝化腔进行钝化工艺。由第一传送机构将样品从进样腔传送至预处理腔；第二传送机构将样品从预处理腔传送至解理腔；第三传送机构将样品从解理腔传送至钝化腔。完整工艺流程为样品从大气进入进样腔中，由第一传送机构传送至预处理腔，由第二传送机构传送至解理腔完成解理工作，由第三传送机构传送至钝化腔完成钝化工艺，然后原路返回至进样腔取出处理后的样品。

现有的激光芯片端面解理钝化装置存在以下问题：1、由于端面处理装置为超高真空处理装置，样品从大气中进入真空环境中，会破坏端面处理装置的真空环境；2、激光芯片端面解理钝化装置单次工艺只允许单向传输操作，整个产品工艺过程中，需要等待的时间较长。

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种端面处理装置，内部真空性好并且处理激光芯片样品时整个工艺过程中等待时间短。

实现本实用新型目的所采用的技术方案为，一种激光芯片端面解理钝化装置，包括按样品处理工艺依次连通的进样腔、预处理腔、解理腔和钝化腔，以及用于传送所述样品的第一传送机构、第二传送机构和第三传送机构；所述第一传送机构设置于所述进样腔与所述预处理腔中；所述第二传送机构设置于所述预处理腔与所述解理腔中；所述第三传送机构设置于所述解理腔与所述钝化腔中；

所述进样腔、所述预处理腔和所述第一传送机构均设置有两个，所述第二传送机构设置于两个所述预处理腔与所述解理腔中；

两个所述进样腔结构相同，均包括腔体、样品台和进样加热装置；

所述腔体上开设有进样通口，所述进样通口上安装有腔门，所述样品台和所述进样加热装置均设置于所述腔体中；

所述第三传送机构上设置有传送叉，所述传送叉上安装有1个以上用于装夹所述样品的夹具，当所述样品传送至所述钝化腔中时，所述传送叉伸入所述钝化腔中；

所述钝化腔中设置有钝化加热装置和蒸发源，所述蒸发源具有1个以上管炉，各管炉上均具有开口，各所述管炉的所述开口的面积之和与所述传送叉上传送的所述样品的面积之和相匹配。

优选的，所述激光芯片端面解理钝化装置还包括4套抽真空装置，4套抽真空装置中：

1套所述抽真空装置分别连接两个所述进样腔；

1套所述抽真空装置分别连接两个所述预处理腔；

剩余2套所述抽真空装置分别与所述解理腔和所述钝化腔一一对应连接。