[实用新型]一种激光芯片端面解理钝化装置

权利要求书

1.一种激光芯片端面解理钝化装置，包括按样品处理工艺依次连通的进样腔、预处理腔、解理腔和钝化腔，以及用于传送所述样品的第一传送机构、第二传送机构和第三传送机构；所述第一传送机构设置于所述进样腔与所述预处理腔中；所述第二传送机构设置于所述预处理腔与所述解理腔中；所述第三传送机构设置于所述解理腔与所述钝化腔中；其特征在于：

所述进样腔、所述预处理腔和所述第一传送机构均设置有两个，所述第二传送机构设置于两个所述预处理腔与所述解理腔中；

两个所述进样腔结构相同，均包括腔体、样品台和进样加热装置；

所述腔体上开设有进样通口，所述进样通口上安装有腔门，所述样品台和所述进样加热装置均设置于所述腔体中；

所述第三传送机构上设置有传送叉，所述传送叉上安装有2个以上用于装夹所述样品的夹具，当所述样品传送至所述钝化腔中时，所述传送叉伸入所述钝化腔中；

所述钝化腔中设置有钝化加热装置和蒸发源，所述蒸发源具有1个以上管炉，各管炉上均具有开口，各所述管炉的所述开口的面积之和与所述传送叉上传送的所述样品的面积之和相匹配。

2.如权利要求1所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：所述激光芯片端面解理钝化装置还包括4套抽真空装置，4套抽真空装置中：

1套所述抽真空装置分别连接两个所述进样腔；

1套所述抽真空装置分别连接两个所述预处理腔；

剩余2套所述抽真空装置分别与所述解理腔和所述钝化腔一一对应连接。

3.如权利要求2所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：连通所述进样腔与所述预处理腔的管路上，连通预处理腔与所述解理腔的管路上，以及连通所述解理腔与所述钝化腔的管路上均安装有阀门。

4.如权利要求3所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：所述预处理腔、所述解理腔和所述钝化腔的真空度均高于所述进样腔的最大真空度。

5.如权利要求2所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：所述腔体上还开设有抽真空通口，所述抽真空通口上安装有抽真空管道，所述抽真空管道连通至所述进样腔对应的所述抽真空装置。

6.如权利要求5所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：所述腔体上还开设有回压通口，所述回压通口上安装有回压管道，所述回压管道连通至一供气装置。

7.如权利要求2所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：两个所述进样腔之间相互连通，连通两个所述进样腔的管路上安装有阀门；

两个所述预处理腔之间相互连通，连通两个所述预处理腔的管路上安装有阀门。

8.如权利要求1至7中任一项所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：所述进样加热装置具体为电加热板；

所述钝化加热装置具体为电加热圈。

9.如权利要求8所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：所述电加热板的形状与进样腔的外形相匹配。

10.如权利要求1或9所述的激光芯片端面解理钝化装置，其特征在于：所述进样加热装置设置于所述腔体中，并且远离所述进样通口。