[实用新型]一种双室高真空多靶磁控溅射装置

说明书

本实用新型涉及一种双室高真空多靶磁控溅射装置，包括溅射真空室、样品架、磁控靶、进样室、传递杆和工作台。传统的高真空磁控溅射装置的溅射真空室，在抽取该腔室所花费的时间特别长，换靶后真空腔又全部充满空气，又需要重新花费时间进行抽取作业，这将延长溅射镀膜的时间，同时对工业生产效率有很大影响。本实用新型对磁控溅射装置进行重新设计，通过加装一个腔室作为进样室，避免换靶作业在溅射室进行，可以很好的保留溅射室的真空度，或者缩短再次抽取空气所消耗的时长，通过增加传递杆，可以自动进行待溅射样品的取件和送件作业，避免过多的人工参与，对于提高作业效率有具有很大的帮助。

技术领域

本实用新型涉及真空磁控溅射技术领域，特别是涉及应用于镀制各种单层膜系、多层膜系的双腔式多靶心真空磁控溅射装置。

背景技术

随着工业的需求和表面技术的发展，真空磁控溅射技术，也就是磁场控制溅射方式是目前应用最广泛的一种溅射沉积方法。它是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场，电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。所谓溅射是指被加速的正离子轰击阴极(靶)表面时，将自身的能量传给阴极表面的原子，原子离开阴极沉积在基体上，即形成机体上的沉积薄膜。目前，新型磁控溅射如高速溅射、自溅射等成为目前磁控溅射领域新的发展趋势，对于缩短溅射镀膜的时间，提高工业生产效率具有较好的帮助。但是在使用的过程中，高真空磁控溅射装置的溅射真空室，在抽取该腔室所花费的时间特别长，按照正常工作真空需求抽取时间至少在4小时以上。在换靶后真空腔又全部充满空气，又需要重新花费4个多小时进行抽取作业，这将延长溅射镀膜的时间，同时对工业生产效率有很大影响。

发明内容

在背景技术中提到换靶后需要花费很长的时间重新抽取溅射真空室的空气，为了缩短抽取真空时所消耗的时长，提高溅射镀膜的效率，本实用新型提供了一种双室高真空多靶磁控溅射装置，通过另外加装一个腔室作为进样室，避免换靶作业在溅射室进行，可以很好的保留溅射室的真空度，或者缩短再次抽取空气所消耗的时长，通过增加传递杆，可以自动进行待溅射样品的取件和送件作业，避免过多的人工参与，对于提高作业效率有很大的帮助。可以用于镀制各种单层膜系、多层膜系，可实现单靶直溅，双靶共溅，三靶共溅，同时可以实现反应磁控溅射，制备氮化物，氧化物等，可镀金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜，最后通过PLC实现工艺控制。

实现本实用新型的技术方案如下：

一种双室高真空多靶磁控溅射装置，其特征在于，包括溅射真空室、样品架、磁控靶、进样室、传递杆和工作台；其中，所述溅射真空室，由优质不锈钢焊接，表面电解处理，外形美观，密封良好，腔室上分布法兰接口；所述样品架，是单工位样品架，带有样品总挡板，可放置110mm*110mm样品一片，可以电动旋转，转速0～30转/分，连续可调。样品加热温度最高600℃；所述磁控靶，射频和直流兼容，都可沿轴向移动距离范围(相对于衬底)40～80mm，金属密封结构,靶安装有电动挡板,靶面尺寸3英寸，水磁分离结构，靶面为铜材质，冷却效果好,在真空室内部分，可以手动调整摆头，摆头角度0～15度。磁控靶之间有隔板隔开，可以防止交叉污染；所述进样室，由优质不锈钢焊接，表面电解处理，外形美观，密封良好，腔室上分布法兰接口；所述传递杆，由进口轴承及其滚珠丝杠组成，主要用于进样室与溅射室之间进行样品的传递，运动平稳，位置精确，操作方便，一端装有直线电机；所述工作台，整体装置的工作台采用40方管打磨焊接而成，表面喷漆，周围安装折弯门板。

附图说明

图1为本实用新型双室超高真空磁控溅射装置示意图；

图2为本实用新型溅射真空室磁控靶示意图。