[发明专利]一种卫星用高电压端PMOS驱动电路

权利要求书

1.一种卫星用高电压端PMOS驱动电路，其特征在于：所述PMOS驱动电路包括输入驱动信号匹配和隔离单元、驱动信号增强单元、驱动信号限制和匹配单元、驱动目标单元；输入驱动信号匹配和隔离单元接受信号输入，实现输入信号与所述PMOS驱动电路的信号匹配和隔离，兼容多种信号输入；驱动信号增强单元连接所述输入驱动信号匹配和隔离单元与驱动信号限制和匹配单元，所述驱动信号增强单元实现弱信号高电平增强电压和电流驱动能力，低电平增强倒灌能力，达到快速放电的效果；驱动信号限制和匹配单元连接驱动信号增强单元和驱动目标单元，实现驱动信号与驱动目标单元的匹配和对其进行保护；驱动目标单元连接主电路的输入和输出，实现主电路供配电控制或电源变换，其中，所述驱动目标单元采用PMOS管作为驱动主电路工作的开关管；所述输入驱动信号匹配和隔离单元包括电阻R2、电阻R4、电阻R5和NPN三极管Q4；电阻R4一端接信号输入，R4的另一端接Q4的基极；电阻R2一端连接电源VCC，R2的另一端接Q4的集电极；电阻R5的一端接地，R5的另一端接的基极，Q4的发射极接地；所述驱动信号增强单元包括NPN三极管Q2和PNP三极管Q3，Q2的集电极接电源VCC，Q2的发射极接Q3的发射极，Q3的集电极接地，Q2的基极、Q3的基极分别与Q4的集电极连接；高电平信号时Q2导通、Q3截止，电源VCC连接到驱动信号限制和匹配单元，让电源VCC提供更高电压和电流的输出能力；低电平信号时Q2截止、Q3导通，电源VCC与驱动信号限制和匹配单元断开，且驱动信号限制和匹配单元连接到地，驱动信号限制和匹配单元电流经Q3倒灌到地，实现快速放电，所述驱动目标单元包含PMOS管Q1，PMOS管Q1的栅极连接驱动信号限制和匹配单元，PMOS管Q1的源极连接主电路输入，PMOS管Q1的漏极连接主电路输出；所述驱动信号限制和匹配单元包括电阻R3、电容C1、电阻R1和稳压二极管D1；电阻R3一端连接驱动信号增强单元的输出，电阻R3的另一端接电容C1的一端，用于限制驱动能力，匹配驱动目标单元的需求；电容C1用于隔离直流信号；电阻R1和稳压二极管D1并联，一端连接主电路输入，另一端连接C1的另一端；C1的另一端与所述驱动目标单元的驱动端相连；电阻R1和稳压二极管D1用于限制驱动电流和电压，保护驱动目标单元。

2.根据权利要求1所述的PMOS驱动电路，其特征在于：所述输入信号为芯片IO口输出的弱电平信号。

3.根据权利要求1所述的PMOS驱动电路，其特征在于：所述电阻R4的阻值根据输入信号调整，起到限制输入电流效果。

4.根据权利要求1所述的PMOS驱动电路，其特征在于：所述NPN三极管Q4用场效应管替代。

5.根据权利要求1所述的PMOS驱动电路，其特征在于：所述稳压二极管D1使用瞬态抑制二极管替代。

6.根据权利要求1所述的PMOS驱动电路，其特征在于：在无直流信号或需要保留直流信号的情况下取消电容C1。