[发明专利]封装方法

说明书

本发明提供一种封装方法，包括：提供多个芯片，芯片内形成有电连接结构，芯片正面暴露出所述电连接结构表面，相邻芯片之间形成有塑封层，所述芯片正面和所述塑封层表面具有多个焊球区以及相邻焊球区之间的钝化区；在每一芯片正面形成与电连接结构电连接的再布线层，且每一再布线层横跨所述焊球区和与所述焊球区相邻接的钝化区；在所述焊球区的再布线层上形成与所述再布线层电连接的焊球；进行选择性喷涂处理，向所述钝化区的再布线层、芯片正面以及塑封层表面喷洒浆料，并且对所述钝化区的浆料进行固化处理，在所述钝化区形成钝化层。本发明利用选择性喷涂处理形成钝化层，减小了钝化层形成工艺引入的损伤，进而提高了形成的封装结构的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种封装方法。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装(Ball GridArray，BGA)、芯片尺寸封装(Chip Scale Package，CSP)、晶圆级封装(Wafer LevelPackage，WLP)、三维封装(3D)和系统封装(Systemin Package，SiP)等。

焊球的形成是封装工艺中的关键技术之一。焊球与芯片内的电连接结构电连接，且利用所述焊球重新布局封装结构的输入/输出引脚位置和数量，便于使封装结构与外部电路或者其他器件之间实现电连接。

现有技术的封装方法形成的封装结构的性能仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种封装方法，改善封装效果，提高形成的封装结构的可靠性。

为解决上述问题，本发明提供一种封装方法，包括：提供多个芯片，所述芯片具有正面和与所述正面相对的背面，所述芯片内形成有电连接结构，所述芯片正面暴露出所述电连接结构表面，相邻芯片之间形成有塑封层，所述芯片正面和所述塑封层表面具有多个焊球区以及相邻焊球区之间的钝化区；在每一所述芯片正面形成与所述电连接结构电连接的再布线层，且每一再布线层横跨所述焊球区和与所述焊球区相邻接的钝化区；在所述焊球区的再布线层上形成与所述再布线层电连接的焊球；进行选择性喷涂处理，向所述钝化区的再布线层、芯片正面以及塑封层表面喷洒浆料，并且对所述钝化区的浆料进行固化处理，在所述钝化区形成钝化层。

与现有技术相比，本发明提供的技术方案具有以下优点：

本发明提供的封装方法的技术方案中，芯片正面和塑封层表面具有多个焊球区以及相邻焊球区之间的钝化区；在每一芯片正面形成与芯片的电连接结构电连接的再布线层，且每一再布线层横跨焊球区和与所述焊球区相邻接的钝化区；在焊球区的再布线层上形成与再布线层电连接的焊球；进行选择性喷涂处理，向所述钝化区的再布线层、芯片正面以及塑封层表面喷洒浆料，并对所述钝化区的浆料进行固化处理，在所述钝化区形成钝化层。本发明形成钝化层的工艺步骤无需进行显影工艺或者刻蚀工艺，从而避免位于焊球区的结构受到显影工艺或者刻蚀工艺带来的刻蚀损伤，使得所述焊球区的再布线层或者焊球保持较高的质量，例如，所述再布线层或者焊球的电连接性能不会受到形成钝化层工艺的影响。因此，本发明改善了封装效果，提高了封装形成的封装结构的性能，所述封装结构的电学性能和可靠性均能得到改善。

可选的，所述喷头前一次移动经过钝化区上方时的移动路径与后一次移动经过同一钝化区上方时的移动路径不同。不同移动路径的喷头喷洒的浆料的厚度均匀性以及厚度分布情况有差异，由于同一钝化区上方的浆料为经由不同移动路径的喷头喷洒的，两次不同喷洒浆料形成膜层的厚度分布情况相互弥补或者相互抵消，有利于进一步提高最终形成的钝化层的厚度均匀性，提高所述钝化层对再布线层以及芯片的保护效果，进一步的提高封装形成的封装结构的可靠性。