[发明专利]摄像组件的封装方法有效
| 申请号: | 201811605542.6 | 申请日: | 2018-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111370332B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
| 发明(设计)人: | 秦晓珊 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/683;H01L21/768;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/48;H01L25/16;H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
| 地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 组件 封装 方法 | ||
1.一种摄像组件的封装方法,其特征在于,包括:
提供第一承载基板,所述第一承载基板上临时键合有功能元件和感光单元,所述感光单元包括键合于所述第一承载基板上的感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片,所述感光芯片和功能元件均具有焊垫,且所述感光芯片和功能元件的焊垫均背向所述第一承载基板,所述滤光片露出的区域为塑封区;
进行选择性喷涂处理,向所述塑封区喷洒塑封料,且对所述塑封料进行固化处理,形成位于所述塑封区的塑封层,所述塑封层覆盖所述第一承载基板、感光芯片和功能元件,且还覆盖所述滤光片的侧壁;
在所述塑封层内形成导电通孔,所述导电通孔露出所述焊垫;
经由所述导电通孔在所述塑封层靠近所述滤光片的一侧形成再布线结构,电连接所述感光芯片的焊垫以及所述功能元件的焊垫;
去除所述第一承载基板。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述塑封区中感光芯片、功能元件与所述承载基板围成的区域为底部塑封区,所述塑封区中高于所述功能元件顶部的区域为顶部塑封区;
向所述塑封区喷洒塑封料的过程中,在所述塑封料填充满所述底部塑封区之后,向所述顶部塑封区喷洒塑封料。
3.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述选择性喷涂处理的方法包括:提供可移动的喷头;
采用所述喷头在所述第一承载基板上方移动,当所述喷头移动经过所述塑封区上方时,所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。
4.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次,以形成所述塑封层;且所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径具有第一方向,所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径具有第二方向,所述第二方向与第一方向不同。
5.如权利要求3或4所述的封装方法,其特征在于,在所述临时键合步骤后,所述感光芯片和功能元件在所述第一承载基板上的排列方向为X方向,平行于所述第一承载基板表面且与所述X方向相垂直的方向为Y方向;所述喷头的移动路径具有的方向包括:+X方向、-X方向、+Y方向和-Y方向中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述喷头的移动路径具有的方向还包括:与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。
7.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,在进行所述选择性喷涂处理之前,获取所述塑封区的位置信息;基于获取的所述位置信息,进行所述选择性喷涂处理。
8.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,获取所述塑封区的位置信息的方法包括:基于预设位置信息将所述功能元件和感光单元置于所述第一承载基板上,将所述预设位置信息作为所述第一承载基板上的塑封区的位置信息;或者,在将所述功能元件和感光单元置于所述第一承载基板上后,对所述第一承载基板表面进行光照射,采集经所述第一承载基板表面反射的光信息,获取所述塑封区的位置信息。
9.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,基于获取的所述位置信息,进行所述选择性喷涂处理的方法包括:所述喷头在所述第一承载基板上方移动的同时,即时获取所述喷头在所述第一承载基板上的实时位置;基于所述实时位置和获取的位置信息,控制所述喷头在所述第一承载基板上移动的过程中向所述塑封区喷洒塑封料。
10.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,在所述选择性喷涂处理的步骤中,所述喷头与所述第一承载基板之间的垂直距离为5mm至30mm,所述喷头移动的速率为0.01m/s至0.1m/s,所述喷头喷洒塑封料的流量为1ml/s至10ml/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





