[发明专利]一种基于二维卤化铅钙钛矿材料的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二维卤化铅钙钛矿材料的发光二极管，其特征在于：包括基质材料和溶液，所述基质材料为ITO玻璃，所述溶液包括PEDOT∶PSS、C₆H₅C₂H₄NH₃Cl、PbBr₂和DMSO，所述C₆H₅C₂H₄NH₃Cl与PbBr₂的摩尔比为2∶1。

2.根据权利要求1所述的一种基于二维卤化物钙钛矿材料的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为蓝白色发光二极管。

3.一种基于二维卤化铅钙钛矿的发光二极管的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

S1：选取原料；

以C₆H₅C₂H₄NH₃Cl、PbBr₂、PEDOT∶PSS溶液为原料，以ITO玻璃为基质材料，根据化学式(C₆H₅C₂H₄NH₃)₂PbCl₂Br₂分别计算得到Pb∶Cl∶Br的摩尔比为1∶1.98∶2.26，所述溶液C₆H₅C₂H₄NH₃Cl、PbBr₂的摩尔比为2∶1；

S2：处理ITO玻璃基质；

将S1步骤中的ITO玻璃基质依次用去离子水，丙酮和异丙醇在超声浴中洗涤15分钟，并用紫外线/氧等离子体处理10分钟；

S3：基底旋涂；

将经S2步骤充分处理后得到的ITO玻璃基质放入旋涂仪，然后旋涂PEDOT∶PSS薄膜。再经过退火，得到PEDOT∶PSS涂覆的ITO玻璃基底；

S4：旋涂：

再将经S3步骤充分处理后得到的PEDOT∶PSS涂覆的ITO玻璃基底放入旋涂仪，之后旋涂在DMSO溶液中制备的C₆H₅C₂H₄NH₃Cl和PbBr2溶液，最后经过退火和真空热蒸发沉积得到(PEA)₂PbCl₂Br₂钙钛矿薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种基于二维卤化铅钙钛矿的发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述S1步骤中，所述基质材料ITO玻璃规格为1.5cm*1.5cm。

5.根据权利要求3所述的一种基于二维卤化铅钙钛矿的发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述S3步骤中，所述退火温度为140℃，时间为30分钟，在氮气填充的手套箱中进行，手套箱内环境水氧值均小于1ppm。

6.根据权利要求3所述的一种基于二维卤化铅钙钛矿的发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述S4步骤中，所述退火温度为120℃，时间为5分钟。

7.根据权利要求3所述的一种基于二维卤化铅钙钛矿的发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述S4步骤中，所述旋涂速度为4000rpm，时间为1分钟。

8.根据权利要求3所述的一种基于二维卤化铅钙钛矿的发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述S4步骤中，所述真空热蒸发沉积的压强为6×10^-7托。