[发明专利]一种提高静电释放性能的方法在审
| 申请号： | 201811269912.3 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109481841A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈斯伟;张坤 | 申请（专利权）人： | 晶晨半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | A61N1/14 | 分类号： | A61N1/14 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触摸按键电路 阻抗元件 静电 去除 触摸按键 防静电胶 静电释放 电路成本 辐射信号 有效减少 电压差 灵敏度 传导 | ||
1.一种提高静电释放性能的方法，用于触摸按键电路中，其特征在于，具体包括如下步骤：
步骤S1、去除所述触摸按键电路中所有的静电阻抗元件；
步骤S2、去除所述静电阻抗元件之后，于所述触摸按键电路中的触摸按键上设置防静电胶。
2.根据权利要求1所述的提高触摸按键的静电释放性能的方法，其特征在于，于所述步骤S1中，去除所述触摸按键中包括电路板焊盘、触摸感应控制电源及控制信号线上的所述静电阻抗元件。
3.根据权利要求2所述的提高触摸按键的静电释放性能的方法，其特征在于，于所述步骤S2之后，所述触摸按键没有被接触时，具有一第一电容。
4.根据权利要求3所述的提高触摸按键的静电释放性能的方法，其特征在于，所述第一电容包括所述电路板焊盘的基准电容、所述电路板焊盘与周围铜板之间的极板电容。
5.根据权利要求4所述的提高触摸按键的静电释放性能的方法，其特征在于，于所述步骤S2之后，所述触摸按键被接触时，同时具有一第二电容与所述第一电容。
6.根据权利要求5所述的提高触摸按键的静电释放性能的方法，其特征在于，所述第二电容为接触电容。
7.根据权利要求5所述的提高触摸按键的静电释放性能的方法，其特征在于，所述第一电容与所述第二电容并联。
8.根据权利要求5所述的提高触摸按键的静电释放性能的方法，其特征在于，所述触摸按键的接触前后的电容的变化率为：
C％＝Cf/CPx+CPy；
C％用于表示所述触摸按键的接触前后的电容的变化率；
Cf用于表示所述第二电容的电容值；
CPx用于表示所述电路板焊盘的基准电容的电容值；
CPy用于表示所述电路板焊盘与周围铜板之间的电容值。
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