[发明专利]加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备

说明书

本申请涉及集成电路制造技术领域，具体而言，涉及一种加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备。所述加热装置包括用于承载衬底的承载部及安装于所述承载部的加热器，所述加热器用于加热所述承载部，以使承载于所述承载部的衬底上能够形成薄膜，且所述加热器包括多个加热元件，各所述加热元件分别与所述承载部的不同区域相对应；其中，加热装置的调节方法包括：获取蚀刻条件，所述蚀刻条件为在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件；根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度，从而能够缓解形成有薄膜的衬底在后续蚀刻工艺中出现蚀刻不彻底或蚀刻过度的情况。

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域，具体而言，涉及一种加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积(英文名称：Chemical Vapor Deposition，简称：CVD)是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体地，化学气相沉积设备中包括反应室及设置在反应室内的加热装置，该加热装置安装于用于承载衬底的承载部，工作时向反应室内充入反应气体，同时加热装置对承载部和承载部上的衬底进行加热，使反应气体沉积于衬底上形成薄膜。

但相关技术中，加热装置仅包括一个加热元件，因此，导致加热装置无法对承载部的不同区域的温度进行调控，从而无法改变衬底上与不同区域相对应的部位的薄膜的厚度，这样导致形成有薄膜的衬底在后续蚀刻工艺中容易出现蚀刻不彻底或蚀刻过度的情况。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种加热装置的调节方法、加热装置及化学气相沉积设备，能够缓解形成有薄膜的衬底在后续蚀刻工艺中出现蚀刻不彻底或蚀刻过度的情况，改善蚀刻均匀性。

本申请第一方面提供了一种加热装置的调节方法，所述加热装置包括用于承载衬底的承载部及安装于所述承载部的加热器，所述加热器用于加热所述承载部，以使承载于所述承载部的衬底上能够形成薄膜，且所述加热器包括多个加热元件，各所述加热元件分别与所述承载部的不同区域相对应；其中，所述调节方法包括：

获取蚀刻条件，所述蚀刻条件为在对形成有薄膜的衬底进行蚀刻时的蚀刻条件；

根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度。

在本申请的一示例性实施例中，所述根据所述蚀刻条件对各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述承载部的不同区域的温度，包括：

根据所述蚀刻条件确定与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系；

基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度。

在本申请的一示例性实施例中，所述不同区域包括中心区域和边缘区域，所述多个加热元件包括与所述中心区域相对应的第一加热元件和与所述边缘区域相对应的第二加热元件。

在本申请的一示例性实施例中，所述基于与所述不同区域相对应的蚀刻速率之间的大小关系，对与所述不同区域相对应的各所述加热元件的加热功率进行独立调整，以调整所述不同区域的温度，包括：

在与所述中心区域相对应的蚀刻速率等于与所述边缘区域相对应的蚀刻速率时，对所述第一加热元件及所述第二加热元件的加热功率进行独立调整，以使所述边缘区域与所述中心区域之间的温度差值为第一温度差值。

在本申请的一示例性实施例中，所述第一温度差值为0～8℃。