[发明专利]一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池有效
| 申请号: | 201810884604.5 | 申请日: | 2018-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN110473647B | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 韩运成;吴宜灿;李桃生;季翔;刘超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号: | G21H1/02 | 分类号: | G21H1/02 |
| 代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张洁;仇蕾安 |
| 地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 网状 支撑 薄膜 源直充式 同位素 电池 | ||
1.一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池,其特征在于:所述电池包括发射极(1)、收集极(2)、填充介质(6)和电池外壳(7),其中,发射极(1)、收集极(2)和填充介质(6)位于电池外壳(7)内部,所述电池包括多个基本单元,一个基本单元由一个发射极(1)和一个收集极(2)组成,填充介质(6)填充在发射极(1)和收集极(2)之间,发射极(1)的两端通过发射极连接材料(5)与电池外壳(7)连接,发射极(1)为双层结构,由一层网状支撑材料(12)和一层覆盖在网状支撑材料(12)上的放射性同位素自支撑薄膜(11)组成;每两个收集极(2)之间通过绝缘支撑材料(3)连接,所有收集极(2)通过收集极连接材料(4)串联,发射极(1)为双面发射,除两端的收集极(2)外其余收集极(2)为双面收集;
其中,所述放射性同位素自支撑薄膜(11)的厚度为200-500nm;所述放射性同位素自支撑薄膜源为含β放射性同位素或α放射性同位素的单质、化合物或混合物;
所述网状支撑材料(12)的网孔与网径的比率大于1:1;
所述收集极(2)材料为低原子序数的金属或合金材料;
所述绝缘支撑材料(3)为电阻率大于109Ω·m的绝缘材料;
所述收集极连接材料(4)和发射极连接材料(5)为导电性材料;
所述填充介质(6)的真空度小于10Pa;
所述电池外壳(7)材料为可承受内外压差1个标准大气压的材料;
一个基本单元中发射极(1)和收集极(2)之间的距离为0.5-5mm。
2.一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池,其特征在于:所述电池包括发射极(1)、收集极(2)、填充介质(6)和电池外壳(7),其中,发射极(1)、收集极(2)和填充介质(6)位于电池外壳(7)内部,所述电池包括多个基本单元,一个基本单元由一个发射极(1)和一个收集极(2)组成,填充介质(6)填充在发射极(1)和收集极(2)之间,发射极(1)的两端通过发射极连接材料(5)与电池外壳(7)连接,发射极(1)为三层结构,由两层网状支撑材料(12)及夹在两层网状支撑材料(12)中间的一层放射性同位素自支撑薄膜(11)组成;每两个收集极(2)之间通过绝缘支撑材料(3)连接,所有收集极(2)通过收集极连接材料(4)串联,发射极(1)为双面发射,除两端的收集极(2)外其余收集极(2)为双面收集;
其中,所述放射性同位素自支撑薄膜(11)的厚度为200-500nm;所述放射性同位素自支撑薄膜源为含β放射性同位素或α放射性同位素的单质、化合物或混合物;
所述网状支撑材料(12)的网孔与网径的比率大于1:1;
所述收集极(2)材料为低原子序数的金属或合金材料;
所述绝缘支撑材料(3)为电阻率大于109Ω·m的绝缘材料;
所述收集极连接材料(4)和发射极连接材料(5)为导电性材料;
所述填充介质(6)的真空度小于10Pa;
所述电池外壳(7)材料为可承受内外压差1个标准大气压的材料;一个基本单元中发射极(1)和收集极(2)之间的距离为0.5-5mm。
3.如权利要求1或2所述的一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池,其特征在于:所述β放射性同位素为3H、63Ni、90Sr、137Cs、144Ce或147Pm;α放射性同位素为210Po、226Ra、238Pu、241Am或244Cm。
4.如权利要求1或2所述的一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池,其特征在于:所述网状支撑材料(12)为铍网、铜网、铝网、镍网或碳网。
5.如权利要求1或2所述的一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池,其特征在于:所述收集极(2)材料为含有铍、铝、铁或铜的金属或合金。
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