[发明专利]一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法

说明书

本发明公开一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法，包括：相对设置的第一基板和第二基板，位于第一基板之上呈阵列分布的单色微型发光二极管器件，以及位于第二基板面向各单色微型发光二极管器件一侧的量子点彩膜层；各单色微型发光二极管外延片与量子点彩膜层中的各子像素单元一一对应。由于仅需要采用单色微型发光二极管而不再需要三色的微型发光二极管，因此不存在将多种Micro LED芯片进行巨量转移的问题，由此可以大大降低由于转移难度高造成的良率低的问题。同时仅采用单色微型发光二极管，各微型发光二极管的寿命与衰减速率均一致，由此可以避免由于不同颜色的Micro LED的寿命和衰减速率不致而造成的显示色偏。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，简称Micro LED)技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，其中，每一个LED可定址、单独驱动点亮，将像素点距离从毫米级降低至微米级。Micro LED的耗电量仅为液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的十分之一，与有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，简称OLED)一样属于自发光，色彩饱和度接近OLED。Micro LED的体积和重量可以再缩小，兼具低功耗、快速反应的特质，成为本领域的研究重点。

然而，Micro LED显示装置在制作过程中需要采用CMOS集成电路制造工艺先制成LED显示驱动电路，然后再在集成电路上制作LED阵列。其中驱动电路依赖于单晶硅作为衬底，而不同颜色的Micro LED在制作时采用的衬底有所不同，那么在制作过程中就存在着将三色巨量的Micro LED在衬底间转移上的步骤，存在转移难度高，同时三色Micro LED的使用寿命和衰减速率不一致也会使显示面板出现色偏的问题。

发明内容

本发明提供了一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法，用以降低MicroLED的转移难度，解决显示面板产生的色偏问题。

第一方面，本发明提供一种显示装置，包括：相对设置的第一基板和第二基板，位于所述第一基板之上呈阵列分布的单色微型发光二极管器件，以及位于所述第二基板面向各所述单色微型发光二极管器件一侧的量子点彩膜层；其中，

所述单色微型发光二极管器件包括外延片；所述量子点彩膜层包括：多个子像素单元；各所述外延片与各所述子像素单元一一对应。

在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述显示装置中，所述外延片在所述第一基板的正投影与对应的所述子像素单元在所述第一基板的正投影完全重叠。

在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述显示装置中，还包括：位于各所述外延片之间的间隔层；所述间隔层在所述第一基板的正投影的图形为网格状图形；所述间隔层，用于隔离各所述外延片。

在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述显示装置中，所述单色微型发光二极管还包括：位于所述间隔层背离所述第一基板一侧的条形的第一电极，以及位于所述第一基板与所述外延片之间的条形的第二电极；

各所述第一电极分别与一列所述外延片对应，各所述第一电极分别与对应的一列所述外延片相接触；各所述第一电极在所述第一基板的正投影位于所述间隔层在所述第一基板的正投影之内；

各所述第二电极分别与一行所述外延片对应，每行所述外延片在所述第一基板的正投影与对应的所述第二电极在所述第一基板的正投影具有重叠区域。

在一种可能的实现方式中，在本发明提供的上述显示装置中，所述量子点彩膜层还包括：位于各所述子像素单元之间的遮光层；

所述遮光层在所述第一基板的正投影位于所述间隔层在所述第一基板的正投影之内。