[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件有效
| 申请号： | 201810450395.3 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108550670B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 吴俊德;李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：
一N型复合半导体层；
一发光层，位于所述N型复合半导体层上，并具有多重量子阱结构，其中所述多重量子阱结构由多个阱层与多个阻障层交替堆叠而成；以及
一P型复合半导体层，位于所述发光层上，其中所述P型复合半导体层包括邻近于所述发光层的空穴提供层、远离于所述发光层的P型半导体层与夹于所述空穴提供层与所述P型半导体层之间的一P型载子阻隔层，所述空穴提供层的能隙大于所述多重量子阱结构之所述阱层的能隙，所述空穴提供层的材质包括铟，且所述P型载子阻隔层的材质包括铝，所述空穴提供层紧邻所述发光层，且所述空穴提供层掺杂有浓度为1017-1020cm-3的第四主族元素，所述第四主族元素为碳；所述空穴提供层还掺杂有浓度大于1018cm-3的P型掺质，所述P型掺质为镁。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述N型复合半导体层包括邻近于所述发光层的一N型载子阻隔层，且所述N型载子阻隔层的材质为N型氮化铝镓。
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