[发明专利]从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法

权利要求书

1.一种从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法，其特征在于：包括步骤如下：

(1)不锈钢/玻璃衬底剥离：将铜铟镓硒废电池芯片进行衬底剥离，得到废衬底和有价金属层；

(2)电溶解、萃取：将步骤(1)中得到的有价金属层进行电溶解得到混合液，混合液用铜萃取剂进行萃取，萃取后有机相和水相进行分液分离；

(3)反萃、电积：将步骤(2)中得到的有机相经过反萃、电积得到阴极铜；

(4)沉硒：往步骤(2)中所得的水相中通入SO₂，还原得到纯度大于98％的粗硒，过滤后得滤液一；

(5)除杂/分离：将步骤(4)中的滤液一进行除杂/分离，得到含锌、镉、钼、铝、锡的渣和滤液二；

(6)中和沉淀：将步骤(5)中得到的滤液二进行中和沉淀，过滤后得到中和沉淀液和中和沉淀渣；

(7)还原、提纯：将步骤(6)中得到的中和沉淀液还原得到粗铟，粗铟进一步提纯得到高纯铟和含铝、锡的渣；

(8)碱浸：将步骤(6)中得到的中和沉淀渣进行碱浸，得到碱浸液和碱浸渣，碱浸渣返回步骤(6)中进行中和沉淀；

(9)电解、提纯：将步骤(8)中得到的碱浸液进行电解得到粗镓和电解贫液，粗镓进一步提纯得到高纯镓，电解贫液返回步骤(8)中进行碱浸；

所述步骤(1)中处理的铜铟镓硒废电池芯片含Cu15～25％、In15～25％、Ga15～25％、Se40～60％；

所述步骤(4)中SO₂的通入量为：SO₂物质的量与原料中Se物质的量比为1.0～1.5；

所述步骤(8)中碱浸用质量浓度为30％～80％的NaOH或KOH溶液为浸出剂，碱浸温度为30～150℃，碱浸时间为0.5～5h，碱浸前固液比为1:1～1:10g/mL。

2.根据权利要求1所述的从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法，其特征在于：所述步骤(2)中电溶解具体为：将有价金属层作为阳极，在直流电源的作用下，控制电解槽电压为1.5～3.0 V，在酸性条件下使废电池芯片全部溶解，其中，电解槽中酸度为50～300g/L硫酸。

3.根据权利要求1所述的从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法，其特征在于：所述步骤(6)中中和沉淀所用试剂为NaOH、KOH、Na₂CO₃、K₂CO₃中的一种。

4.根据权利要求1所述的从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法，其特征在于：所述步骤(7)中还原所用还原剂为铁粉、水合肼、甲醛以及它们二者或三者任意比例混合物；提纯粗铟的方法包含区域熔炼法、真空熔炼法、真空蒸馏法、固相电解法、偏析提纯法、氢等离子弧熔炼法。

5.根据权利要求1所述的从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法，其特征在于：所述步骤(9)中粗镓的提纯方法包括低温电解提纯、区域熔炼提纯或二者组合提纯。