[发明专利]量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体在审
| 申请号: | 201810153718.2 | 申请日: | 2018-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN108471311A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
| 发明(设计)人: | 林畅仁;牧义之;石原直树;宫川拓也 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H03L7/26 | 分类号: | H03L7/26;G02F1/01 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;李庆泽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碱金属 量子干涉装置 原子振荡器 电子设备 共振光 光源部 移动体 射出 金属氧化物 离子化趋势 非极性 内壁面 受光部 圆偏振 包围 脱离 | ||
本发明提供量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体。量子干涉装置具有:原子室,其具有封入有碱金属的内部空间;第1光源部,其射出共振光对,所述共振光对彼此向相同方向进行圆偏振,对碱金属进行激励;第2光源部,其射出调整光;以及受光部,所述原子室具有:第1层,其设置在所述原子室的包围所述内部空间的内壁面,包含离子化趋势比所述碱金属低的金属氧化物即第1化合物衍生的化合物;第2层,其设置在所述第1层上,包含具有与所述第1化合物衍生的化合物进行脱离反应的官能团的第2化合物衍生的化合物;以及第3层,其设置在所述第2层上,包含非极性的第3化合物衍生的化合物。
技术领域
本发明涉及量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体。
背景技术
作为长期具有高精度的振荡特性的振荡器,公知有利用了量子干涉效应(CPT:Coherent Population Trapping等)的原子振荡器。
利用了量子干涉效应的原子振荡器一般具有:气室,其封入了气体状的碱金属;光源,其射出使气室中的碱金属共振的共振光对;以及光检测器(受光部),其对透过气室之后的共振光对进行检测。在上述原子振荡器中,通过光检测器对随着电磁感应透明(EIT:Electromagnetically Induced Transparency)现象而产生的EIT信号进行检测并作为基准信号使用。而且,近年来,出于提高EIT信号的强度的目的,研发出了使用进行圆偏振的共振光对的原子振荡器。由此,能够提高短期频率稳定性。
并且,通过较长地保持碱金属的自旋极化,能够延长光与碱金属的相互作用时间,其结果为,能够提高EIT信号的强度。但是,碱金属通过与气室的内壁进行碰撞从而缓和电子自旋状态(自旋极化)。因此,以往,为了减少由于碱金属与内壁之间的碰撞而产生的电子自旋状态的缓和,提高缓冲气体的压力(分压)。但是,提高缓冲气体的压力之后,由于碱金属与缓冲气体之间的碰撞而产生的电子自旋状态的缓和变大,其结果为,相互作用时间受到限制,无法得到充分的特性。
因此,近年来,不同于提高缓冲气体的压力的方法,公开了出于降低碱金属与原子室的内壁之间的碰撞而产生的电子自旋状态的缓和的目的而对内壁进行涂布的技术(专利文献1)。在专利文献1中,公开了在原子振荡器中使用下述气室,所述气室能够通过在气室的内壁形成OTS层来减轻气室的内壁表面的极性基团的露出,并且,通过在OTS层的上形成石蜡层来提高气室内壁的非缓和特性。
专利文献1:日本特开2013-181941号公报
发明内容
但是,在使用了进行圆偏振的共振光对的原子振荡器中,如果相互作用时间延长,则由于圆偏振的共振光对的光抽运(optical pumping)而产生磁量子数分布偏移(磁副能级的分布数的偏移),实际发生EIT现象的能级的磁量子数变少。其结果为,导致EIT信号的强度降低。
并且,在专利文献1记载的气室中,有时碱金属进入OTS层(涂布层),构成内壁的分子与构成涂布层的分子之间的结合被碱金属切断,涂布层发生剥离。
本发明的目的是提供一种量子干涉装置,其能够降低涂布的剥离的可能性,并且能够抑制EIT信号的强度的降低,并且,提供一种具有所述量子干涉装置的原子振荡器、电子设备以及移动体。
本发明是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的,能够作为以下的应用例或方式来实现。
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