[发明专利]一种DLC薄膜增硬玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种DLC薄膜增硬玻璃，其特征在于，所述DLC薄膜增硬玻璃包括玻璃基片以及依次设置于所述玻璃基体表面的缓冲层和DLC层，所述缓冲层依次包括SiO₂层和SiC层，所述缓冲层的厚度为70～100nm。

2.如权利要求1所述的DLC薄膜增硬玻璃，其特征在于，所述DLC层的厚度为300～600nm。

3.如权利要求1或2所述的DLC薄膜增硬玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)对玻璃基片进行表面处理；

2)制备SiO₂/SiC缓冲层：先利用磁控溅射方法在离子刻蚀清洗后的璃基片表面制备SiO₂，得到基片/SiO₂层，然后利用磁控溅射方法在SiO₂层上制备SiC层，得到基片/SiO₂/SiC缓冲层；

3)制备SiO₂/SiC/DLC层：利用磁控溅射方法在SiC层制备DLC层。

4.如权利要求3所述的DLC薄膜增硬玻璃的制备方法，其特征在于，步骤1)中对玻璃基片进行表面处理的步骤包括先对玻璃基片进行清洗，然后对玻璃基片进行离子刻蚀。

5.如权利要求4所述的DLC薄膜增硬玻璃的制备方法，其特征在于，玻璃基片进行清洗的步骤为：将玻璃基片先用丙酮为清洗剂超声清洗，然后以无水乙醇为清洗剂超声清洗，最后以去离子水为清洗剂超声清洗，吹干后得到洁净玻璃基片。

6.如权利要求4所述的DLC薄膜增硬玻璃的制备方法，其特征在于，对玻璃基片进行离子刻蚀的步骤为：利用Ar离子对玻璃基片进行离子刻蚀清洗。

7.如权利要求3所述的DLC薄膜增硬玻璃的制备方法，其特征在于，在基片上制备SiO₂层步骤如下：用SiO₂做靶材，Ar气气压为0.3～1.0Pa，工作偏压40～120V，溅射功率100～300W，溅射时间为3～10min，得到基片/SiO₂层。

8.如权利要求3所述的DLC薄膜增硬玻璃的制备方法，其特征在于，在SiO₂层表面制备SiC层步骤如下：用Si做靶材，按Ar气体流量与C₂H₂气体流量比为8:1通入Ar气与C₂H₂气，控制气压为0.3～1.0Pa，工作偏压40～120V，溅射功率100～300W，溅射时间为3～10min，在SiO₂层上制备SiC层，得到基片/SiO₂/SiC过渡层。

9.如权利要求3所述的DLC薄膜增硬玻璃的制备方法，其特征在于，制备DLC膜层的步骤为：是以石墨为靶源，其放电气体为乙炔和氩气混合气体或纯氩气在过渡层上沉积DLC膜层，所述氩气和乙炔气体流量比为4:1～10:1，溅射气压0.5～3.0Pa，溅射功率100～300W，溅射时间为20～60min，得到基片/SiO₂/SiC/DLC层。