[发明专利]一种C/SiC复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201810062562.7 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110066186B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李晓东;刘俊鹏;霍鹏飞;孙同臣;王涛;裴雨辰 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/83;C04B35/52;C04B35/622 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种C/SiC复合材料，采用CVI工艺和PIP工艺制备，其特征在于：在PIP工艺过程中，当材料密度在1.20g/cm3～1.70g/cm3范围内时，采用锆前驱体进行若干次PIP工艺致密化。
2.根据权利要求1所述的一种C/SiC复合材料，其特征在于：所述的PIP工艺为：采用聚碳硅烷前驱体进行PIP工艺致密化，至材料密度在1.20g/cm3～1.70g/cm3范围内时，采用锆前驱体进行若干次PIP工艺致密化，再采用聚碳硅烷前驱体进行PIP工艺致密化至材料密度增加≤1％。
3.根据权利要求1所述的一种C/SiC复合材料，其特征在于：所述的锆前驱体PIP工艺次数为1～6次。
4.根据权利要求1所述的一种C/SiC复合材料，其特征在于：所述的锆前驱体PIP工艺次数为2或3次。
5.根据权利要求1所述的一种C/SiC复合材料，其特征在于：所述的锆前驱体PIP工艺在材料密度在1.40g/cm3～1.60g/cm3进行。
6.根据权利要求1所述的一种C/SiC复合材料，其特征在于：所述的CVI工艺制备的C/C复合材料的密度为0.9～1.0g/cm3。
7.一种C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于，通过以下步骤实现：
第一步，采用CVI工艺制备低密度C/C复合材料；
第二步，以聚碳硅烷前驱体溶液为浸渍液，采用PIP工艺对第一步得到的低密度C/C复合材料进行致密化，至密度为1.2～1.7g/cm3；
第三步，以锆前驱体溶液为浸渍液，对第二步得到的材料进行若干次PIP工艺致密化；
第四步，以聚碳硅烷前驱体溶液为浸渍液，对第三步得到的材料进行PIP工艺致密化，至材料密度增加≤1％。
8.根据权利要求7所述的一种C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述第二步中材料密度为1.4～1.6g/cm3。
9.根据权利要求7所述的一种C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述第三步中PIP工艺循环次数为1～6次。
10.根据权利要求7所述的一种C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述第三步中PIP工艺循环次数为2或3次。
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