[发明专利]微机械传感器设备的制造方法和相应的微机械传感器设备

权利要求书

1.用于制造微机械传感器设备的方法，所述方法具有以下步骤：

提供衬底(1)，该衬底具有膜片区域(M)；

在所述膜片区域(M)上构造多个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)，所述电极装置延伸直至所述膜片区域(M)的外部；

在所述膜片区域(M)上的分别对应的电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)上形成多个结构化的传感器层区域(S1-S3)，所述传感器层区域具有相应的结构化传感器层(200；300；400)；并且

其中，为了形成所述多个结构化的传感器层区域(S1-S3)实施以下步骤：

将第一传感器层(200)沉积在具有所述电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)的所述衬底(1)上；

将第一保护层(201)沉积在所述第一传感器层(200)上；

使在第一电极装置(L1a、L1b)上的第一堆叠(ST1)结构化，该第一堆叠具有带有所述第一传感器层(200)的所述第一传感器层区域(S1)和位于该第一传感器层上的所述第一保护层(201)；

将第二传感器层(300)沉积在所述第一堆叠(ST1)和所述衬底(1)上；

将第二保护层(301)沉积在所述第二传感器层(300)上；

同时使在所述第一电极装置(L1a、L1b)上的所述第一堆叠(ST1)再结构化并且使在第二电极装置(L2a、L2b)上的第二堆叠(ST2)结构化，该第一堆叠具有带有所述第一传感器层(200)的所述第一传感器层区域(S1)和位于该第一传感器层上的所述第一保护层(201)、所述第二传感器层(300)和所述第二保护层(301)，该第二堆叠具有带有所述第二传感器层(300)的所述第二传感器层区域(S2)和位于该第二传感器层上的所述第二保护层(301)；并且

使所述第一传感器层区域(S1)和所述第二传感器层区域(S2)露出。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在使所述第一传感器层区域(S1)和所述第二传感器层区域(S2)露出之前实施以下步骤：

将第三传感器层(400)沉积在所述第一堆叠(ST1)、所述第二堆叠(ST2)和所述衬底(1)上；

将第三保护层(401)沉积在所述第三传感器层(400)上；

同时使在所述第一电极装置(L1a、L1b)上的所述第一堆叠(ST1)再结构化、使在所述第二电极装置(L2a、L2b)上的第二堆叠(ST2)再结构化并且使在第三电极装置(L3a、L3b)上的第三堆叠(ST3)结构化，该第一堆叠具有带有所述第一传感器层(200)的所述第一传感器层区域(S1)和位于该第一传感器层上的所述第一保护层(201)、所述第二传感器层(300)和位于该第二传感器层上的所述第二保护层(301)和所述第三传感器层(400)和位于该第三传感器层上的所述第三保护层(401)，该第二堆叠具有带有所述第二传感器层(300)的所述第二传感器层区域(S2)和位于该第二传感器层上的所述第二保护层(301)和所述第三传感器层(400)和位于该第三传感器层上的所述第三保护层(401)，该第三堆叠具有带有所述第三传感器层(400)的所述第三传感器层区域(S3)和位于该第三传感器层上的所述第三保护层(401)；并且

之后与所述第一传感器层区域(S1)和所述第二传感器层区域(S2)的露出一起进行所述第三传感器层区域(S3)的露出。

3.根据权利要求1所述的权利要求，其中，所述露出通过剥离工艺步骤实施，在该剥离工艺步骤中移除所述第一保护层(201)和所述第二保护层(301)。

4.根据权利要求2所述的权利要求，其中，所述露出通过剥离工艺步骤实施，在该剥离工艺步骤中移除所述第一保护层(201)、所述第二保护层(301)和所述第三保护层(401)。

5.根据前述权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，各个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)具有相应的、在所述膜片区域(M)上布置的电导体轨对(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)，所述电导体轨对在剥离工艺步骤中这样结构化，使得所述电导体轨对在横截面中具有扁平地向外伸出的边缘区域。