[发明专利]半结晶嵌段共聚物和得自其的组合物

权利要求书

1.一种选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其包含至少一个A嵌段和至少一个B嵌段，

其中A嵌段是乙烯基含量为20mol％或更少的聚合的1,3-丁二烯的氢化嵌段，且A嵌段的熔点为50-120℃和分子量为大于15kg/mol至80kg/mol；B嵌段是共轭二烯和单乙烯基芳族单体单元的受控分布的共聚物嵌段，其中：

i.聚合的共轭二烯单体单元被氢化；

ii.聚合的单乙烯基芳族单体的含量为10-55wt％；和

iii.单乙烯基芳族单体的嵌段度小于40％；

其中所述嵌段共聚物于环己烷中8小时浸渍后的溶胀度小于150wt％，且所述嵌段共聚物的ODT为150℃或更低。

2.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其中B嵌段是具有90/10-60/40重量比的共轭二烯与单乙烯基芳族单体单元的无规共聚物嵌段。

3.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其中所述嵌段共聚物具有以下结构：A-B、(A-B)_nX、(A-B)_nX-(A)_m或(A-B)_nX-(B)_m，其中n是2-10，m是1-10。

4.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其中B嵌段中的共轭二烯单元的乙烯基含量为30-90mol％。

5.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其中A嵌段中的聚合的1,3-丁二烯被氢化至90mol％或更高的程度。

6.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其中B嵌段中的共轭二烯单体单元被氢化至90mol％或更高的程度。

7.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其中B嵌段中的单乙烯基芳族单体单元被氢化至小于10mol％的程度。

8.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其中B嵌段的分子量为20-200kg/mol。

9.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其ODT是140℃或更低。

10.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其拉伸强度为至少6MPa。

11.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其断裂伸长率为至少300％。

12.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其拉伸强度为6MPa或更大，和于甲苯中8小时浸渍后的溶胀度小于150wt％。

13.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其于石蜡油中浸渍2周后的溶胀度小于40wt％。

14.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其不含化学交联。

15.权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其已用下述物质接枝：马来酸酐、马来酸或富马酸、含硅或含硼的化合物、环氧乙烷、二氧化碳、碱金属烷基化合物或磺酸化合物。

16.权利要求15所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物，其已用下述物质接枝：马来酸酐、马来酸或富马酸。

17.一种组合物，其包含权利要求1所述的选择性氢化的半结晶嵌段共聚物和至少一种选自以下的组分：热塑性树脂、增粘剂、塑化剂和蜡。

18.权利要求17所述的组合物，其中所述选择性氢化的半结晶嵌段共聚物占所述组合物的2-98wt％。