[发明专利]投射镜头的衰减滤光器、投射曝光设备的具有衰减滤光器的投射镜头以及具有投射镜头的投射曝光设备有效
| 申请号: | 201780018875.6 | 申请日: | 2017-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN109073983B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
| 发明(设计)人: | T.格鲁纳;R.绍默 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B27/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 投射 镜头 衰减 滤光 曝光 设备 具有 以及 | ||
1.一种衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),在微光刻投射曝光设备(WSC)的投射镜头(PO,PO’)中根据可指定的局部分布用于具有来自150nm至370nm的波长范围的指定工作波长的紫外辐射(LR1T,LR2I)的强度的限定的衰减,该衰减滤光器包含:
基板(SU,SU’),其在该工作波长下为足够透明的;以及
吸收层(AL),其布置于该基板上且在使用区(UA)的不同位置(Z1,Z2)根据该可指定的局部分布吸收具有该工作波长的入射紫外辐射至不同程度,
其特征在于:
该衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3)配置为降低或避免在已通过该衰减滤光器的紫外辐射(LR1O,LR2O)中的热致波前变化误差,其是由于在该基板上局部地变化的该紫外辐射(LR1I,LR2I)的吸收所造成的该基板的局部变化加热,其中该基板(SU,SU’)的厚度(TS,TS’)至多为20μm。
2.如权利要求1所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该基板(SU,SU’)的厚度(TS,TS’)至多为10μm。
3.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该基板(SU,SU’)的厚度(TS,TS’)至少为5μm。
4.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该基板(SU,SU’)在尺寸上为稳定的。
5.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该基板(SU)具有适配于在该基板上局部地变化的吸收的局部变化厚度(TS)。
6.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于布置于该基板(SU’)上的波前校正层(CL)、折射率在该指定工作波长下大于一的校正层材料、以及适配于在该基板上局部变化的吸收的局部变化校正层厚度(TC)。
7.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该吸收层(AL)具有吸收具有该指定工作波长的入射紫外辐射(LR1I,LR2I)的吸收层材料,以及根据该可指定的局部分布而在该基板(SU,SU’)上局部地变化的吸收层厚度(TA)。
8.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该吸收层(AL)部分地或完全地由金属、碳化物和/或金属氧化物构成。
9.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该吸收层(AL)部分地或完全地由五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化铝(Al2O3)构成。
10.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该基板(SU,SU’)部分地或完全地由合成石英玻璃(SiO2)或晶体氟化物构成。
11.如权利要求1或2所述的衰减滤光器(AF,AF’,AF1,AF2,AF3),其特征在于该吸收层(AL)在该使用区(UA)的中心比在该使用区的周边区域(Z1)更强烈地吸收具有该指定工作波长的入射紫外辐射(LR1I,LR2I)。
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