[发明专利]层叠陶瓷电子部件的制造方法在审
| 申请号: | 201711271943.8 | 申请日: | 2017-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN108183026A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
| 发明(设计)人: | 藤田彰;高木勇也;松井透悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 层叠陶瓷电子部件 切断线 母块 侧面 部件主体 层叠构造 内部电极 陶瓷生片 加工 芯片 制造 内部电极图案 金属 陶瓷保护层 配置的 陶瓷层 正交的 烧成 去除 制作 | ||
1.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,具备:
制作母块的工序,其中,所述母块包含层叠的多个陶瓷生片、和沿着所述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案;
通过沿着相互正交的第1方向的切断线以及第2方向的切断线将所述母块切断,来得到多个生芯片的工序,其中,多个生芯片具有层叠构造并且所述内部电极在通过沿着所述第1方向的切断线的切断而显现的切断侧面露出,所述层叠构造构成为具有处于未加工的状态的多个陶瓷层和多个内部电极;
去除所述切断侧面的金属成分的工序;
通过在去除了所述金属成分之后的切断侧面形成未加工的陶瓷保护层,来得到未加工的部件主体的工序;和
对所述未加工的部件主体进行烧成的工序。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
还具备:在去除所述金属成分的工序之前,在将排列在行方向以及列方向的多个所述生芯片的相互间隔扩宽的状态下,通过使多个所述生芯片转动,来将多个所述生芯片各自的所述切断侧面对齐并设为开放面的工序,
去除被设为所述开放面的所述切断侧面的金属成分。
3.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,具备:
制作母块的工序,其中,所述母块包含层叠的多个陶瓷生片、和沿着所述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案;
通过沿着第1方向的切断线将所述母块切断,来得到多个棒状的生块体的工序,其中,多个棒状的生块体具有层叠构造并且所述内部电极在通过沿着所述第1方向的切断线的切断而显现的切断侧面露出,所述层叠构造构成为具有处于未加工的状态的多个陶瓷层和多个内部电极;
去除所述切断侧面的金属成分的工序;
在去除了所述金属成分之后的切断侧面形成未加工的陶瓷保护层的工序;
通过沿着与所述第1方向正交的第2方向的切断线,将形成有所述未加工的陶瓷保护层的所述棒状的生块体切断,来得到多个未加工的部件主体的工序;和
对所述未加工的部件主体进行烧成的工序。
4.根据权利要求3所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
还具备:在去除所述金属成分的工序之前,在将排列在规定方向的多个所述棒状的生块体的相互间隔扩宽的状态下,通过使多个所述棒状的生块体转动,来将多个所述棒状的生块体各自的所述切断侧面对齐并设为开放面的工序,
去除被设为所述开放面的所述切断侧面的金属成分。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
在去除所述金属成分的工序中,进行蚀刻处理。
6.根据权利要求5所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
所述蚀刻处理通过在溶解所述金属成分的酸溶液或者碱溶液中浸渍所述生芯片或者所述棒状的生块体来进行。
7.根据权利要求1~4的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
在去除所述金属成分的工序中,进行激光处理。
8.根据权利要求7所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
所述激光处理中的激光波长为350nm以上。
9.根据权利要求7或8所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
所述激光处理中的激光照射能量为100mJ/cm2以上且10000mJ/cm2以下。
10.根据权利要求1~9的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,
所述未加工的陶瓷保护层通过粘贴陶瓷保护层用生片或者涂敷陶瓷保护层用膏来形成,
在所述陶瓷保护层用生片或者所述陶瓷保护层用膏中实质不含有Mg。
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