[发明专利]一种光学邻近修正方法

说明书

本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供原始图案，所述原始图案包括多个线条图案；在所述原始图案中的至少部分所述线条图案的端部之内放置参考图案；对所述原始图案进行尺寸调整，以获得测试图案，其中，所述测试图案为在所述尺寸调整后所述参考图案仍然位于其所在的线条图案内的图案。由此通过参考图案的设置形成的测试图案的包容性更好，测试图形包容了更多的图形的情况，进而使得一些未被常规的测试图案所包容的图形区域也能得到有效的修正方案，提高了修正的精度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种光学邻近修正方法。

背景技术

随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。

在半导体的后端制程中，为了形成金属互连线，需要在相邻两侧金属层之间形成通孔以实现金属互连。对于金属层的光学邻近修正模型取样通常包括线与间隔(Line/Space，简称L/S)、头对头(Head to Head，简称HTH)、头对线(Head to Line，简称HTL)和手动绘制二维(2D)图案。取样图案和实际图案之间在几何上存在差异，为了解决该问题，通常采用光学邻近修正方法对掩膜板上的图案进行修正，主要包括：将掩模板的最终尺寸相比于其原始的尺寸做简单的放大或者缩小，以及对线条的末端进行修改形成锤状(hammer)线端，对拐角变圆的情形可以加入衬线(serif)等。然而基于规则的光学邻近效应修正会需要大量的经验数据来建立规则库，有限的规则难以覆盖所有的情况，尤其是一些复杂图形，进而使得一些复杂图形区域往往得不到有效的修正方案，影响修正的精度。

鉴于上述问题的存在，有必要提出一种新的光学邻近修正方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对目前存在的问题，本发明一方面提供一种光学邻近修正方法，包括：

提供原始图案，所述原始图案包括多个线条图案；

在所述原始图案中的至少部分所述线条图案的端部之内放置参考图案；

对所述原始图案进行尺寸调整，以获得测试图案，其中，所述测试图案为在所述尺寸调整后所述参考图案仍然位于其所在的线条图案内的图案。

示例性地，选择在相邻所述线条图案之间的间距小于原始图案的最小间距的1.5倍的线条图案的端部上放置所述参考图案。

示例性地，放置所述参考图案的规则如下：

在预定放置所述参考图案的所述线条图案的端部选择一个参考区域，依据目标节点的设计规则选择所述参考区域，或者，根据先前节点的设计规则对目标节点的参考区域的位置进行预估；

在所述参考区域的中心区域放置所述参考图案。

示例性地，所述参考图案的外端边缘与其所在的线条图案的外端边缘之间的距离大于或等于所述线条图案的最小宽度。

示例性地，所述参考图案的两侧边缘与其外侧的所述线条图案的侧边之间的距离y均大于或等于0。

示例性地，依据设计规则限制和修改所述参考图案的放置。

示例性地，使用与所述原始图案的目标节点相邻近的节点的偏移量表来对所述原始图案进行尺寸调整。

示例性地，对所述原始图案进行尺寸调整包括：