[发明专利]功率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种功率晶体管，所述功率晶体管的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源极区、以及所述阱区上方的栅极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述元胞结构还包括将所述阱区至少部分包裹的空穴电流阻碍区，所述空穴电流阻碍区为第二导电类型、且掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度，所述空穴电流阻碍区从一所述栅极的下方延伸至所述栅极的相邻栅极的下方。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述空穴电流阻碍区将所述阱区完全包裹。

3.根据权利要求2所述的功率晶体管，其特征在于，所述空穴电流阻碍区的结深比所述阱区的结深大0.5微米～1微米。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的功率晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的功率晶体管，其特征在于，所述功率晶体管是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。

6.一种功率晶体管的制造方法，其特征在于，包括：涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行空穴电流阻碍区光刻，进行空穴电流阻碍区离子注入，以及对注入的离子进行热扩散的步骤；所述热扩散的步骤之后所述注入的离子形成空穴电流阻碍区，所述空穴电流阻碍区将功率晶体管的阱区至少部分包裹，所述空穴电流阻碍区的导电类型与所述阱区的导电类型相同，所述空穴电流阻碍区的掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述的功率晶体管的制造方法，其特征在于，所述进行空穴电流阻碍区离子注入的步骤之后还包括形成终端场限环的步骤和形成有源区的步骤，所述终端场限环与所述空穴电流阻碍区和阱区的导电类型相同，空穴电流阻碍区的掺杂浓度小于所述终端场限环的掺杂浓度。

8.根据权利要求6所述的功率晶体管的制造方法，其特征在于，所述涂覆光刻胶的步骤之前还包括在晶圆的表面形成预氧化层的步骤，所述进行空穴电流阻碍区离子注入的步骤之后、所述形成终端场限环的步骤之前还包括去除所述光刻胶的步骤和腐蚀所述预氧化层的步骤。

9.根据权利要求6所述的功率晶体管的制造方法，其特征在于，所述功率晶体管为结终端扩展结构或横向变掺杂结构，所述对光刻胶进行空穴电流阻碍区光刻的步骤与终端光刻采用同一块光刻版、在同一步骤中进行，所述功率晶体管的终端场限环与所述空穴电流阻碍区的导电类型相同，空穴电流阻碍区的掺杂浓度等于所述终端场限环的掺杂浓度。

10.根据权利要求6所述的功率晶体管的制造方法，其特征在于，所述空穴电流阻碍区将所述阱区完全包裹，所述空穴电流阻碍区的结深比所述阱区的结深大0.5微米～1微米。